基础知识之晶体管
在PNP型中,通过施加电压使发射极为正电压,基极为负电压,使发射极空穴(正电荷)流入基极,其中一部分与基极电子(负电荷)结合,产生微小的基极电流,其余部分扩散到集电极并成为集电极电流。NPN型和PNP型晶体管晶体管的历史1、晶体管于1948年诞生于贝尔实验室1948年发明了晶体管,这对当时的电子工业界带来了巨大...
讲透三极管_手机新浪网
为方便讨论,以下我们对图中所示的各个部分的名称直接采用与三极管相应的名称(如“发射结”,“集电极”等)。最下面的发射区N型半导体内电子作为多数载流子大量存在,而且,如图中所示,要将发射区的电子注入或者说是发射到P区(基区)是很容易的,只要使发射结正偏即可。具体说就是在基极与发射极之间加上一个足够的...
一文搞懂IGBT
IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS,集电极电流IC类似于漏极电流ID,集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异(红框所标位置)。这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
当发射结正偏时,电流可以在集电极和发射极之间流动,三极管处于导通状态:当三极管导通时,发射结的行为就像一个二极管,所以基极和发射极之间的电压降通常在0.6到0.7伏之间,非常类似于硅二极管。当基极-发射极没有正向偏置,也就是是截止的时候,集电极和发射极之间没有电流流动,三极管处于截止状态:工作区工作区定义...
如何判断三极管的集电极和发射极
我们利用三极管的偏置电路就可以区分出另外两个脚。对于NPN三极管来说,我们先假设一个脚是集电极,另一个脚是为发射极,将黑表笔接假设的集电极上,红表笔接假设的发射极,用食指连通基极和假设的集电极,(这里说的是用指针万能表)若三极管导通(表针偏转的角度很大)说明假设的集电极就集电极,若三极管不导通或指针偏转很...
双极晶体管基础知识解析
★放大区:发射结正偏,集电结反偏(www.e993.com)2024年9月11日。放大区的特点是:◆IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小,反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小,间隔越大表示管子电流放大系数b越大。
晶体管分类有哪些?收藏这一张图就够了!
集电极电流Ic基本不随基极电流Ib而变化;三极管压降很小,一般有Uce<Ube;发射结,集电结都正偏,Ube>0,Ubc>0;β>Ic/Ib;d、倒置状态集电极和发射极接反的情况;一般不会烧掉,但是β会下降严重;发射结反偏,集电结正偏;三种组态放大电路三种组态如下。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)知识解析
而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供...
电力晶体管基础知识解析
电力晶体管工作原理在电力电子技术中,GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通;反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此,给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。电力晶体管特点l输出电压可以采用脉宽调制方式,故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。
太震撼了,3D动画讲解:晶体管的工作原理,简直就是开挂
下面这个动画是LearnEngineering制作的,视频中我们可以很直观的学习晶体管的工作原理,晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。