100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!|信号|电阻|三极管|放大...

33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...

芯茂微推出可靠性媲美MOSFET的12W内置BJT的PSR电源解决方案

●我司BJT在正偏/反偏下均在安全工作区内，可确保BJT不会损坏。*BJT正偏（饱和状态）下的安全区下图为某2款三极管正偏时的SOA图。通过前面LP3716XX系列的BJT驱动过程可以看到，在系统设计的整个开关周期内，功率BJT都是在SOA的范围并有足够的裕量：比如原边峰值电流IC<1A；原边开通时间TONP<20us;开通...

晶体管分类有哪些?收藏这一张图就够了!

发射结正偏,集电结反偏,Ube>0,Ubc<0;β=△ic/△ib;c、饱和区集电极电流Ic基本不随基极电流Ib而变化;三极管压降很小,一般有Uce<Ube;发射结,集电结都正偏,Ube>0,Ubc>0;β>Ic/Ib;d、倒置状态集电极和发射极接反的情况;一般不会烧掉,但是β会下降严重;发射结反偏,集电结正偏;三种组态...

国内电源芯片厂商推出创新的驱动BJT方案,可靠性已达MOS方案

●我司BJT在正偏/反偏下均在安全工作区内,可确保BJT不会损坏。*BJT正偏(饱和状态)下的安全区下图为某2款三极管正偏时的SOA图。通过前面LP3716XX系列的BJT驱动过程可以看到,在系统设计的整个开关周期内,功率BJT都是在SOA的范围并有足够的裕量:比如原边峰值电流IC<1A;原边开通时间TONP<20us;开通后...

深入浅出常用元器件系列——BJT

在datasheet中这个参数用V(BR)EB。这个参数的是指,当集电极开路时,发射极-基极的反向击穿电压。在正常工作状态时,发射结是正偏的或截止的,不存在问题。然而在某些场合,例如工作开关状态时,由于寄生参数的影响,发射结上有可能出现较大的反向电压击穿晶体管。所以在设计电路时需要小心考虑这个参数。

双极晶体管基础知识解析

★放大区:发射结正偏,集电结反偏(www.e993.com)2024年11月4日。放大区的特点是:◆IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小,反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小,间隔越大表示管子电流放大系数b越大。

电力双极型晶体管

电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管,也称为BJT,简称为电力晶体管。它与晶闸管不同,具有线性放大特性,但在电力电子应用中却工作在开关状态,从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断,是典型的自关断器件。一、电力晶体管的结构和工作原理...

「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系

三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线。这里涉及了饱和区的问题,三极管工作在饱和区时Vce很小,有人说饱和区条件是发射结正偏,集电结也正偏,这很容易让人误解;发射结正偏导通没问题,但集电结并没有达到正偏导通,若集电结正偏导通,就跟两个二极管放一起...

闻泰科技:大举收购安世集团,迈入半导体广阔新天地

IGBT:IGBT全称绝缘栅双极晶体管,它是由BJT和MOSFET(组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT是在VDMOSFET基础之上演化发展而来的,结构十分相似,主要不同之处是IGBT用P+衬底取代了VDMOS的N+衬底,形成PNPN四层结构,正向导通时J1结正偏,发生一系列反应,产生PN结电导调制效应,从而有效降低了导通电阻和导通电压,增大了...

功率半导体淡季不淡,看好旺季来临投资机遇

IGBT:IGBT全称绝缘栅双极晶体管,它是由BJT和MOSFET(组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT是在VDMOSFET基础之上演化发展而来的,结构十分相似,主要不同之处是IGBT用P+衬底取代了VDMOS的N+衬底,形成PNPN四层结构,正向导通时J1结正偏,发生一系列反应,产生PN结电导调制效应,从而有效降低了导通电阻和导通电压,增大了...