...的无功耗模拟开关专利,大大提高在电源电压掉电状态下开关管的...
上拉管、下拉管、pmos衬底选择电路、nmos衬底选择电路、驱动电路、电平移位电路、电源电压检测电路、高低压选择电路,本发明提出的一种具有电压处理功能的无功耗模拟开关,开关输入输出完全对称,可以双向导通,开关管觉有传输正负电压信号的特性,在电源掉电以后开关管能够迅速关断,阻断输入端正负电压信号的传输,大大提高了在...
捷昌驱动取得一种电源控制电路专利,强制提高开关管的开关频率,以...
金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,浙江捷昌线性驱动科技股份有限公司取得一项名为“一种电源控制电路“,授权公告号CN202420043207.6,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本实用新型提供了一种电源控制电路,所述电源控制电路设置在电源内部,与控制电源输出功率的开关管连接,用于调节开关...
如果你想了解绿联充电器内置的AC-DC主控芯片,看这篇文章就够了...
初级电源芯片来自昂宝,型号OB2631A,芯片内部集成开关管,外围电路精简。内置同步整流芯片OB昂宝OB2013B同步整流芯片采用昂宝OB2013B,芯片内置同步整流管,外围元件精简。相关阅读:1、拆解报告:绿联20WUSB-C快充充电器UGREEN绿联小金刚20WPD快充充电器绿联小金刚20WPD快充充电器机身亮面设计,整体小巧而光滑,...
内置氮矽科技DX65F200氮化镓开关管,美富达65W氮化镓快充拆解
氮化镓开关管来自氮矽科技,丝印DX6510FE,实际型号为DX65F200,是一颗耐压650V的增强型氮化镓开关管,导阻200mΩ,最大连续电流为10A。器件具有简化的栅极驱动要求,只需0-6V驱动电压,无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率,具有可控制且快速的上升下降时间,无反向恢复损耗。氮矽科技DX65F200资...
氮矽科技DX65F200氮化镓开关管助力量产,美富达65W氮化镓快充拆解...
氮化镓开关管来自氮矽科技,丝印DX6510FE,实际型号为DX65F200,是一颗耐压650V的增强型氮化镓开关管,导阻200mΩ,最大连续电流为10A。器件具有简化的栅极驱动要求,只需0-6V驱动电压,无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率,具有可控制且快速的上升下降时间,无反向恢复损耗。
内置英嘉通IGC6021E氮化镓开关管,倍思65W 2C1A氮化镓充电器
氮化镓开关管来自英嘉通,型号IGC6021E,是一颗耐压650V,导阻250mΩ的氮化镓开关管,采用高可靠的级联结构,栅极耐压±20V,可使用传统的控制器和栅极驱动器,具有出色的抗干扰能力,易于使用(www.e993.com)2024年9月9日。IGC6021E具有极低的反向恢复电荷,具有快速开关能力,支持高频开关和低损耗,有效提高能效,适用于快充,AC-DC转换,图腾柱PFC以及大...
艾为电子取得恒定导通电阻模拟开关专利,确保主开关管导通电阻恒定...
金融界2023年11月28日消息,据国家知识产权局公告,上海艾为电子技术股份有限公司取得一项名为“一种具有恒定导通电阻的模拟开关”,授权公告号CN108512536B,申请日期为2018年7月。专利摘要显示,本申请提供一种具有恒定导通电阻的模拟开关,包括:控制电流产生电路、栅源电压产生电路和主开关管,其中,控制电流产生电路产生控...
高可靠性锐骏半导体RU3030M3开关管进入安克供应链
锐骏半导体开关管RU3030M3两颗同步降压开关管来自锐骏半导体,型号RU3030M3,NMOS,耐压30V,导阻为10mΩ,采用DFN3*3封装。这款开关管采用锐骏半导体先进的Trench技术制造,内部无铅,通过RoHS认证,产品100%通过了雪崩测试,具备低导通电阻和高电流承载能力。整体可靠性强,可以应用于开关电源、锂电池保护、以及同步整流中...
基础知识之晶体管
晶体管工作示意图(NPN型)NPN和PNP晶体管晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型。从右图中也可以看出,主要是根据集电极引脚侧在电路中是吸入还是输出电流来区分使用晶体管。如果想根据输入信号进行开关,那么使用NPN型晶体管,发射极接地。如果想在电源侧进行控制,则通常使用PNP型晶体管。
支持66W+40W快充,华为100W全能充多口充电器拆解_腾讯新闻
氮化镓开关管来自英诺赛科,型号INN700DA140C,是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管,导阻140mΩ,采用DFN5*6封装。另一颗氮化镓开关管也是采用英诺赛科INN700DA140C。辅助开关管丝印0605。另一颗辅助开关管特写。亿光EL1018光耦,用于输出电压反馈。