厂房建设已封顶,同光晶体碳化硅单晶衬底项目预计8月一期投产
同光晶体官方消息显示,目前,同光晶体碳化硅单晶衬底项目基础建设超计划实施,厂房建设完成封顶。图片来源:河北同光晶体有限公司据介绍,2020年3月22日,同光晶体与河北保定涞源县政府签定了合作碳化硅单晶衬底项目(即河北同光科技发展有限公司),项目总投资10亿元,搭建碳化硅单晶生长炉600台。2021年8月项目一期投产,计划...
中环领先申请外延片及其制备方法专利,降低成核层的缺陷密度
本申请通过在衬底和成核层之间设置碳化硅晶格适配层,并控制第一面内晶格常数d1、第二面内晶格常数d2以及第三面内晶格常数d3,满足:d3??d2<d3??d1,可以改善成核层与衬底之间的晶格失配,从而降低成核层的缺陷密度,提升外延片的晶体质量。本文源自:金融界作者:情报员...
SiC缺陷仅1.3个!这项SiC技术起底
为此,他们还在同步解决SiC籽晶缺陷问题——已经将TSD缺陷密度降低至1.3个/cm??。首先,我们来看看碳化硅晶锭和衬底中常见的缺陷类型。这些缺陷通常是在碳化硅晶体生长过程中产生的,而不同的长晶技术的缺陷密度各不相同,我们再来对比一下PVT、HTCVD和液相法的各自缺陷密度情况。根据日本东京大学2019年发布的论文,相...
干货| 碳化硅都需要检测些什么?
微观结构分析是了解碳化硅内部组织和缺陷的重要手段,主要包括:X射线衍射(XRD):用于分析碳化硅的晶体结构和相组成,评估其内部结构的稳定性。扫描电子显微镜(SEM):观察碳化硅表面和断口的微观形貌,检测其表面缺陷和杂质。透射电子显微镜(TEM):高分辨率观察碳化硅的内部结构和晶体缺陷,提供更详细的微观结构信息。这些分...
碳化硅晶体在高科技领域有何应用?这种材料有哪些技术挑战?
然而,碳化硅晶体的应用并非一帆风顺,它面临着一系列技术挑战。其一,碳化硅晶体的生长工艺复杂且成本高昂。目前主流的生长方法如物理气相传输法(PVT)需要在高温、高真空的苛刻条件下进行,生长速度缓慢,导致晶体产量有限,价格居高不下。其二,晶体质量的控制难度较大。碳化硅晶体中容易存在各种缺陷,如位错、多型夹杂等,...
天岳先进:液相法的大规模应用尚需要攻克碳化硅单晶高质量生长界面...
其中,PVT法是目前产业内规模化碳化硅晶体生长方法(www.e993.com)2024年10月19日。液相法SiC长晶技术具有多个优势,理论上具有位错密度低、晶体质量高等优势,受到产业内高度关注,但液相法的大规模应用尚需要攻克碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题等产业化难点,目前液相法尚未实现产业化大规模生产。公司积极探索和布局前瞻性技术,在2023Semicon...
8英寸碳化硅时代呼啸而来!
8月30日,上海汉虹官微宣布,他们在拉晶实验室中,使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体,此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度,直径达到200毫米标准,电阻率和晶向均符合高端应用要求。据悉,该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉,采用上进料方式和自动化控制,通过热场旋转及热...
关键突破!8英寸碳化硅时代呼啸而来 | 金刚石大会 | 碳材料展
上海汉虹:制备8英寸碳化硅晶体8月30日,上海汉虹官微宣布,他们在拉晶实验室中,使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体,此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度,直径达到200毫米标准,电阻率和晶向均符合高端应用要求。据悉,该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉,采用上进料方式和...
6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅氧可靠性,因此对外延材料小坑缺陷的研究成为热点之一。采用单片...
8英寸晶体!全球最大尺寸碳化硅衬底产自济南
原标题:8英寸晶体!全球最大尺寸碳化硅衬底产自济南值班主任:田艳敏新闻排行进入新闻中心1《老残游记》“高升店”亮相明府城2事关济南今冬供暖,有最新消息3济南黄河体育中心专业足球场项目屋盖钢结构内环桁4济南市场牛肉跌至27元/斤气温走低,牛羊肉消费需51小时“生死时速”一名脑出血患者乘直升机从菏泽...