??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。2三极管工作原理由于三极管大多工作在放大状态,这也是三极管应用的基础,下面我们将从三极管放大开始,逐步了解三极管的工作原理。
基础知识之晶体管
如左上图所示,栅极源极间电压越高,导通电阻越小。另外,栅极源极间电压相同的条件下,导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时,需要考虑栅极源极间电压和漏极电流,选择适合的导通电阻。另外,如右上图所示,导通电阻因温度变化而变化,因此需要注意这一特性。导通电阻比较一般MOSFET的芯片尺寸(表面面积)越大,导通...
半导体芯片,到底是如何工作的?
给栅极提供正向电压后,P区的电子会在电场的作用下聚集到栅极氧化硅下,形成一个以电子为多子的区域,也就是一个沟道。现在,如果在漏极和源极之间施加电压,电流将在源极和漏极之间自由流动,实现导通状态。栅极G类似于一个控制电压的闸门,若给栅极G施加电压,闸门打开,电流就能从源极S通向漏极D。撤掉...
干货| 这样讲解ESD太容易理解了
但是这种GCNMOS的ESD设计有个缺点是沟道开启了产生了电流容易造成栅氧击穿,所以他不见的是一种很好的ESD设计方案,而且有源区越小则栅压的影响越大,而有源区越大则越难开启,所以很难把握。4.还有一种复杂的ESD保护电路:可控硅晶闸管(SCR:SiliconControlledRectifier)它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构...
二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解
三级管特征:以NPN管为例,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e(Emitter)、基极b(Base)和集电极c(Collector)。三极管原理:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同...
这颗卫星叫“武汉”,军舰列车也有同一个名 海陆空集齐了“武汉号”
长江日报酒泉卫星发射中心电(特派记者贺亮)2018年12月22日7时51分,“虹云·武汉号”卫星在酒泉卫星发射中心搭乘着长征十一号火箭成功发射(www.e993.com)2024年7月4日。这颗以“武汉”命名的卫星是航天科工空间工程发展有限公司在汉成立后发射的首颗卫星。长江日报记者发现,除了“武汉号”卫星,以“武汉”命名的还有列车和军舰,可谓“海陆空”齐...
mos管和双极型晶体管的区别
BJT有三个区域:发射区(Emitter)、基区(Base)和集电区(Collector)。发射区和集电区是N型或P型半导体,基区是从一侧掺入另一一侧的另一种半导体材料,构成PNP或NPN结构。MOS管分为N沟道型和P沟道型,它们的基本结构是基于一个四层复合结构:衬底(Substrate)、绝缘层(Insulator)、栅极(Gate)和源/漏极(Source/Dra...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
接着上面的讨论,集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关,主要取决于发射区载流子对基区的发射注入程度。通过上面的讨论,现在已经明白,三极管在电流放大状态下,内部的主要电流就是由载流子电子由发射区经基区再到集电区贯穿三极管所形成。也就是贯穿三极管的电流Ic主要是电子流。
2023年半导体行业研究报告
第三代(Trench-PT):把沟道从表面变到垂直面,所以基区的PIN效应增强,栅极附近载流子浓度增大,从而提高了电导调制效应减小了导通电阻;同时由于沟道不在表面,栅极密度增加不受限制,工作时增强了电流导通能力。国内主要是这一代产品。第四代(NPT):目前应用最广泛的一代产品。不再采用外延技术,而是采用离子注入...
SiC IGBT研究进展与前瞻
在结构设计方面,业界针对器件集电区和发射极的结构改进已经做了很多工作,但超结SiCIGBT的设计相对较少,还有很大的研发空间;另外将SiIGBT的结构借鉴到SiCIGBT也是SiCIGBT研发的重要思路,但是在借鉴的过程中要重点注意Si材料和SiC材料特性的差别,这对异质结、肖特基结等结构与SiCIGBT的结合...