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晶体管发射极
超越 IEEE 预测,韩国研究团队研发出亚纳米级尺寸晶体管
7月5日 08:00 - IT之家
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和辉光电-U申请像素驱动电路专利,能够降低驱动晶体管的迟滞,改善显示屏残影现象
6月18日 07:20 - 金融界网站
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华微电子申请场效应晶体管及其制备方法专利,优化器件的动态性能同时降低漏电流
6月17日 20:20 - 金融界网站
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韦尔股份申请放大器电路专利,通过相对地调整电阻值,能够调整晶体管的栅极电压偏移
6月17日 18:05 - 金融界网站
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和辉光电-U申请像素驱动电路、显示设备及驱动方法专利,稳定驱动晶体管输出的驱动电流,降低或消除发光器件的闪烁问题
6月18日 07:20 - 金融界网站
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台积电申请场效应晶体管和形成半导体结构的方法专利,使场效应晶体管具有第二导电类型的掺杂剂的不同平均原子浓度
6月7日 11:05 - 金融界网站
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台积电申请集成电路结构和制造高电压场效应晶体管的方法专利,制造高电压场效应晶体管的方法。
6月3日 20:10 - 金融界网站
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京东方A申请像素驱动电路、显示装置及显示驱动方法专利,可补偿驱动晶体管的充电率或放电率差异
6月7日 11:10 - 金融界网站
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晶体管发射极和集电极
晶体管发射极正偏
晶体管发射极用于收集载流子
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晶体管发射极电流与b-e间电压的关系
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晶体管发射极正偏集电极反偏
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