MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
在uGS=0V时iD=0,只有当uGS>UGS(th)后才会出现漏极电流,所以,这种MOS管称为增强型MOS管,如下图所示:图3uGS>UGS(th)时iD受uDS影响uGS对漏极电流的控制关系可用转移特性曲线描述,转移特性曲线如下图b所示,转移特性曲线的斜率的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。图4MOSFET特性曲线上图a称为输...
第三代电力电子半导体SiC MOSFET:聚焦高效驱动方案
2.当SiCMOSFET应用于桥式电路时,在某一开关管的开关瞬态下,另一开关管的栅源极电压,可能超过栅源极开启电压或负向安全电压。为确保SiCMOSFET的正常运行,一般需将其栅源极电压控制在-10至25V的范围内。若电压超出这一范围,可能会导致SiCMOSFET遭受永久性损坏。为避免此类情况,SiCMOSFET的驱动电路应配备...
基础知识之晶体管
晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器使用的晶体管下面通过比较自来水供水机制来介绍晶体管的功用。晶体管有三个引脚,分别是发射极、基极和集电极。基极相当于水龙头开关,发射极相当于水龙头出水口,集电极相当于水箱。用很小的力(向基极输入信号)...
SiC MOSFET 器件特性知多少?
表2重点介绍了两个不同制造商的SiCMOSFET(SiC_1和SiC_2)和两个出色的900-V和650-V超级结SiMOSFET(Si_1和Si_2)之间的几个重要参数比较。表2.半导体材料属性从栅极驱动的角度来看,比较RGIxCISS时间常数是很有意义的。Si_2器件具有极低的35ns时间常数,但也是一个额定电流...
带MOSFET的光控开关电路原理解析
带MOSFET的光控开关电路原理解析MOSFET是一种独特的场效应晶体管。与BJT相比,这些晶体管是电压控制器件,因为BJT是电流控制器件。一般来说,MOSFET包括三个端子;栅极、源极和漏极,而BJT包括基极、集电极和发射极。每当电压施加到栅极端子时,就会产生一个电场,该电场可以简单地控制电流在两个剩余端子(如源极和...
VRM和MOSFET,对主板有多重要?
MOSFET:重要,重载,非常重品质接下来就到了解释MOSFET重要性环节了(www.e993.com)2024年7月11日。MOSFET就是金属氧化物半导体场效应晶体管,基本上是一种简单的开关电路元件,如果向栅极提供电压,它就可以导通(连接源极和漏极)。MOSFET通常有三个点:用于控制MOSFET的栅极(GATE)、电流流向的漏极(DRAIN)以及与电流源相连的源极(Source)。
为啥MOS 管需要驱动电路?
高边P沟道MOS管开关电路如果我们将N沟道MOSFET更换为P沟道器件,我们可以将负载放置在MOSFET和地之间。MOSFET的源极连接到驱动负载的电源,而负载连接到漏极。与之前提到的N沟道MOSFET的互补器件是ToshibaSSM3J56MFV。然而,我们立刻遇到了一个问题。从数据手册上看,我们注意到Vth被给定为-0.3...
干货| 功率MOSFET基本结构:超结结构
中压功率MOSFET管超结技术,除了采用前面P柱超结结构,还可以使用深沟槽工艺的场板结构。深沟槽场板尺寸,贯穿芯片厚度大部分尺寸,并不完全贯穿芯片整个厚度,在沟槽表面制作氧化层,里面填充多晶硅,多晶硅连接到源极,氧化层隔离多晶硅和N-漂移层。这种结构相当于在N-漂移层内设计一个隔离场板,隔离场板可以提供移动电荷...
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性
以前,我们定义了三个晶体管工作区域:截止、线性、饱和。实际上,还有第四个:亚阈值区域,它在超低功耗模拟集成电路设计中非常流行。该区域的形成是因为晶体管在VGS低于Vth时不会完全关闭。相反,扩散电流在源极和漏极之间形成了一个小沟道。当VGS<Vth时,这种扩散电流是不可忽视的,并且与VGS呈指数关系。由此产生...
耗时2个月!把特斯拉Model 3彻底拆开,没想到扒出那么多秘密!
IGBT在汽车中主要用于三个领域,分别是电机驱动的主逆变器、充电相关的车载充电器(OBC)与直流电压转换器(DC/DC)、完成辅助应用的模块。1)主逆变器:主逆变器是电动车上最大的IGBT应用场景,其功能是将电池输出的大功率直流电流转换成交流电流,从而驱动电机的运行。除IGBT外,SiCMOSFET也能完成主...