SiC,全民“挖坑”
具体来看,在垂直沟槽方向注入铝元素,使沟槽底部形成电场限制层,再通过其新技术斜向注入铝,形成连接电场限制层和源极的侧接地,并斜向注入氮元素,在局部形成更容易导电的高浓度掺杂层。电场限制层将施加在栅极绝缘膜上的电场降低到传统平面结构水平,保证耐压的同时,提高器件的可靠性。连接电场限制层和源极的侧接地,实...
40年晶体管技术最大突破 45nm制程工艺解析
而同时因为场效的提高,使得晶体管源极到漏极的驱动电流提升20%,源极到漏极的泄露电流降低5倍以上。如果这些数据真的如Intel所公布的一样,那么对于单个晶体管来说我们就可以获得比之前更高的开关效率,以及更低的泄露电流。而对于拥有几亿个晶体管的现代处理器来说,我们可以从中获益是非常可观的,这显然更有利于提升...
【影响世界的专利】晶体管
结合图1和图1A,诸如锗之类的半导体1的下部的表面铺有金属膜2用作基极,该片1是N型传导性半导体;在上表面的薄层3是P型传导性半导体;将该P型材料层从该半导体片的基体的N型材料中分隔的分界面4是作为类似高电阻整流阻挡层;第一极5代表发射极,与片的上表面接触,即与P型层3接触,最好是中心附近的某一点,这种...
电动汽车充电逼近加油速度,要靠功率半导体了|洞见
功率半导体器件又称为电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,包括MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、BJT(全程双极性结型晶体管,也就是三极管)、晶闸管、GTO(可关断晶闸管)等种类,目前应用最广泛的就是MOSFET、IGBT与BJT等采用开关模式电源器件。先来说...
深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王
PW(PolishWafer):抛光片。拉单晶后直接切割得到的硅片由于在光滑度或者翘曲度方面不尽完美,所以首先要经过抛光处理。这种方式也是最原始硅片的处理方式。AW(AnnealWafer):退火晶圆。随着制程技术的不断发展,晶体管特征尺寸的不断缩小,抛光片的缺点也逐渐暴露出来,比如硅片表面局部的晶格缺陷,硅片表面含氧量较高等...
半导体设备发展趋势与前景分析
在现有材料中,铜凭借其较低的电阻、更快的传输速度、较高的可靠性和性价比,且在先进制程微缩中铜导线可以随着晶体管尺寸进行缩放,取代原先的铝,成为了互连层之间的主流金属导线材料(主要以PVD制备),但铜互连的技术难度也随金属层数增加而提升:随金属层数增加,技术制备随着制程微缩而变难,在铜导线的制备过程中还需...
集成的层次和环节
单晶硅通过离子注入可形成,N、N+、N-,P、P+、P-等多种不同参杂浓度的半导体,多晶硅则作为栅极或者电阻使用。下图所示为FinFET晶体管在显微镜下的照片,其中较高的白色横梁为栅极G,矮横梁为Fin,其宽度约为栅极宽度的0.67倍,栅极的两侧为源级S和漏极D。
碳化硅行业专题分析:国内衬底厂商加速布局
2)CVD(化学气相沉积)是外延生长中最常用的方法。国内碳化硅外延技术在高压应用领域受限制,厚度和参杂浓度均匀性是关键的参数。外延层对器件性能影响大,处产业链中间环节。外延缺陷会对器件击穿电压造成影响,使得器件良率提升难度大;同时,外延层的质量又受到晶体和衬底加工质量的影响,处产业链中间环节。
LDMOS结构特点和使用优势
LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比,能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备;它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号,因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区,不像双极型晶体管那样互调电平高且随着...
推动发展不光靠挤 CPU材料学平民解读_Intel 酷睿i3 530(盒)_CPU...
高K+金属栅集晶体管为了解决上述问题,便开发了新的高-K材料来做栅级,目前Intel使用金属铪(读音为哈,英文为Hafnium)的氧化物作为栅极的电介质,这种材料具有高K的性质,可以做的足够厚以防止漏电,又因为有较高的介电常数可以维持栅级的电容。不过这种材料作为新的栅极电介质和原来的栅极的多晶硅(参杂)不兼容。后来...