中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,登上 Nature
该研究成果于8月15日以题为“Ahot-emittertransistorbasedonstimulatedemissionofheatedcarriers”(一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管)的论文发表在《自然》(Nature)期刊上。据介绍,这款新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成(如图1所示)。在器件工作时,载流子由石墨...
【Nature】金属所发明热发射极晶体管
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于8月15日以题为“Ahot-emittertransistorbasedonstimula...
【复材资讯】中国科学院金属所发明热发射极晶体管,Nature
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于近日以题为“Ahot-emittertransistorbasedonstimulated...
金属所/北大联手,最新Nature!|电阻|基极|晶体管|集电极|发射极...
两个分离的Gr层用作发射极(emitter-Gr)和基极(base-Gr),Ge衬底用作集电极(图1a、b)。器件采用Gr转移和标准半导体工艺制造。Gr中的缺口是使用光刻技术制造的,缺口长度为2μm至75μm(图1c)。对于晶体管,传输特性(Ic-Vb)中集电极电流Ic和基极电压Vb的关系显示出超出玻尔兹曼极限的突然电流变化,其中亚阈值摆幅(...
还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过
T2通过R1和RA汲取基极电流,因此T2处于开启状态(并且根据设计,T2是饱和的-集电极-发射极电压Vce接近于零),因此Vo位于由下式形成的分压器的中点R2&RE,介于+V和地之间。双晶体管施密特触发器现在假设Vi开始增加,T1的发射极电压由流入T2的电流保持固定,因此当Vi达到高于该值...
双极性结型晶体管的开关损耗
SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法(www.e993.com)2024年9月11日。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。
基础知识之晶体管
作为开关使用的晶体管下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。
通俗易懂的讲解晶体管(BJT 和 MOSFET)
MOSFET晶体管是另一种常见的晶体管。它还有三个引脚:GateG)Source(S)Drain(D)MOSFET符号(N通道)MOS的工作原理类似于BJT晶体管,但有一个重要的区别:对于BJT晶体管,电流从一个基极到另一个发射极,决定了从集电极到发射极能流多少电流。对于MOSFET晶体管,电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从...
共集电极电路分析:图文+实际案例计算
uout的变化只是发射极电压的变化uin的变化只是基极电压的变化我们还可以应用欧姆定律得到:电压增益2)输入阻抗晶体管基极的输入阻抗为:晶体管基极的输入阻抗那么总输入阻抗就是与两个基极电阻并联的基极输入阻抗:总输入阻抗以上就是关于BJT共集电极电路的简单介绍。
NPN型晶体管-IC电子元器件
NPN型晶体管工作原理NPN型晶体管的工作原理基于两个pn结的行为。当基极与发射极之间的电压大于0.7V时,发射区域的pn结会正向偏置,导致电流从发射区域流向基区域。当基极与集电极之间的电压大于0.2V时,集电区域的pn结也会正向偏置,电流从基区域流向集电区域。通过控制基极电流,可以调节集电区域的电流。