成都华微取得负相输出电压高电源抑制比的线性稳压器专利,在低频和...
专利摘要显示,负相输出电压高电源抑制比的线性稳压器,涉及集成电路技术。本发明包括下述部分第一NPN管,其基极和集电极接地,发射极接第一输入端;第二NPN管组,由M个NPN管并联构成,其中每个NPN管的基极和集电极接地,发射极接参考点;第三NPN管组,由M个NPN管并联构成,其中每个NPN管的基极和集电极接地,发射极通过第三...
亚太股份申请用于检测乘用车硬线开关信号的电路和检测方法的专利...
专利摘要显示,复合三极管Q3由两个三极管连接构成,其中第一三极管发射极接地,基极连接MCU微控制单元的GPIO通用输入口DRV_TEST_SW,第一三极管集电极和第二三极管基极连接,第二三极管发射极接到工作电压,第二三极管集电极依次经二极管D2、电阻R11、电阻R12、电阻R13接地;电阻R11、电阻R12间引出接到...
共集电极电路分析:图文+实际案例计算
re是BJT内部的小信号发射极电阻。1)空载电压增益共集电极放大器的空载小信号电压增益是通过RL在共集电极电路的小信号交流模型中忽略而得到的。根据定义,增益为:空载电压增益uin和uout是小写字母,代表信号的变化(即增量,并忽略它们的直流电平)。uout的变化只是发射极电压的变化uin的变化只是基极电...
星宇股份获得发明专利授权:“大电流多输入防倒灌低压降防反接电路...
专利摘要:本发明提供了一种大电流多输入防倒灌低压降防反接电路、LED驱动器和车辆,防反接电路包括分别设置在每个输入通道上的MOS管和对应每个MOS管设置的控制电路,其中,每个MOS管的第一极分别连接到对应的信号源,每个MOS管的第二极连接到一起,控制电路包括:第一分压支路,第一分压支路的一端与MOS管的第一极相连...
pnp和npn具体由啥区别
相反,NPN三极管则是由两个N型半导体夹着一个P型半导体组成,P型半导体作为基区,两侧N型半导体分别为集电极和发射极。这种结构上的差异,决定了它们在电路中的工作方式和性能特点。特性对比:反向与正向的交响曲PNP三极管的特性曲线图与NPN三极管截然相反,如同音乐中的反向旋律。当PNP管的基极电位最高时,集电极电位最...
皮尔斯振荡器电路如何工作?图文+案例讲解|保罗·皮尔斯|环路|设计...
电阻R1、R2和RE提供了一个分压器稳定的直流偏置电路(www.e993.com)2024年8月15日。电容Ce提供发射极电阻的交流旁路,而RFC(射频扼流圈)线圈提供直流偏置,同时使电源线上的任何交流信号不影响输出信号。耦合电容C在电路工作频率下的阻抗可以忽略不计,但它会阻止集电极和基极之间的任何直流电。
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
2输入TTL与非门的电路可能看起来很复杂。我们可以通过考虑2输入NPN晶体管的二极管等效来简化其操作,如下图所示。标准2输入TTL电路在图中,二极管DA和DB代表晶体管Q1的2输入发射极结。二极管DC代表晶体管Q2的集电极-基极结。当输入A和B均为低电平时,两个二极管均正向偏置。因此,由于电源电...
还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过
假设输入电压Vi接近于0,T1没有基极电流,所以T1处于关闭状态。T2通过R1和RA汲取基极电流,因此T2处于开启状态(并且根据设计,T2是饱和的-集电极-发射极电压Vce接近于零),因此Vo位于由下式形成的分压器的中点R2&RE,介于+V和地之间。
基础知识之晶体管
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。
临近交货,贴片电容几率性炸开,问题到底出在哪?
三极管导通时基极与发射极电压差(Vbe)约为0.7V。后面就比较简单了,从已知条件出发,推导出未知量即可。1、从12V出发,每经过1个LED电压降低2.1V,可以确定以下3个电路节点的电压分别为9.9V、7.8V、5.7V:2、从地GND出发,每经过一个三极管的发射极和基极,电压上升0.7V:...