NewQ推出存卡读卡二合一闪存卡盒,单反相机存储卡、收纳摄影配件
充电头网这次给大家介绍一款NewQ存卡读卡二合一闪存卡盒,彻底解决SD/TF卡的易丢失,不方便读写的问题。NewQ弹匣式闪存卡盒NewQ闪存卡盒为弹匣式设计,产品尺寸为114*64*28mm,重量约为156g,拥有棕野绿、石墨黑、限量橙三种配色。产品为铝合金一体成型,外包硅胶套防摔防磁防静电,还支持IP54防尘防水。产品型号为N...
翱捷科技-U申请存储与加载闪存存储器的驱动的方法与装置专利,能在...
在便携电子设备的ROM中固化存储针对全体闪存存储器的初始驱动代码,所述初始驱动代码仅具有单线读命令;在每种闪存存储器中固化存储针对该种闪存存储器的差异化配置信息。便携电子设备上电后,从ROM中将初始驱动代码加载到内存中,随后根据初始驱动代码以单线读命令读取闪存存储器,将闪存存储器的差异化配置信息加载到内存中。
AI 潮影响明显,TrendForce 上修本季度内存、闪存合约价涨幅预测
IT之家5月7日消息,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响,推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预...
铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储级内存业务
IT之家4月7日消息,据日经xTECH报道,铠侠CTO宫岛英史在近日举办的第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标2030~2031年推出1000层的3DNAND闪存,并对存储级内存(SCM)业务进行了重组。铠侠与西部数据携手开发NAND闪存技术,目前这对合作伙伴最先进的产品是218层堆叠的BICS...
...混合存储模组:通过 CXL 技术同时连接 DRAM 内存和 NAND 闪存
IT之家3月21日消息,据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会2024简报,其正研发CMM-H混合存储CXL模组。该模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。IT之家注:作为一种新型高速互联技术,CXL可提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟,可在CPU和外部设备间建立高效连接。
美光宣布 1-gamma EUV 内存试生产,下一代闪存目标 2025 年量产
IT之家3月22日消息,美光于近日发布了截至2月29日的2024财年第二财季财报,配套的演示文稿中对其DRAM内存和NAND闪存的未来与现状进行了介绍(www.e993.com)2024年11月22日。美光称其引入EUV光刻的下一代1-gamma内存已进行了试生产,同时下一代NAND节点的开发也在按计划进行,目标2025日历年实现量产。
2年多来 内存、闪存来首次涨价!下游客户被迫接受
眼下，DRAM内存、NAND闪存的价格都迎来了两年多来的首次上涨，似乎在印证这一观点。从存储企业和设备企业签约的11月DRAM内存大宗交易价格来看，作为市场风向标的8GBDDR4单价为1.65美元左右，环比上涨11％。这是2021年6月以来，该产品的价格首次上涨。NAND产品中，同样代表市场行情的256GbTLC，第四季度单价为1.85...
CFM闪存市场:Flash Wafer报价全面下调;佰维存储:Q2净利润环比下降...
8、谷歌Pixel9Pro系列为AI功能预留3GB内存1、CFM闪存市场:FlashWafer报价全面下调据CFM闪存市场最新报价,FlashWafer价格全面下调,其中,1TbQLC跌1.54%至$6.40,1TbTLC跌1.37%至$7.20,512GbTLC跌2.50%至$3.90,256GbTLC跌5.41%至$1.75。
美光全球首创LPDDR5内存+UFS闪存二合一:最高12GB+256GB
美光全球首创LPDDR5内存+UFS闪存二合一：最高12GB+256GB继今年3月首次公开之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已经做好了大规模量产的准备。美光uMCP5在全球首次通过MCP多芯片封装的方式，将LPDDR5内存、UFS闪存整合在一颗芯片内，可大大提升智能手机的存储密度，节省内部空间、成本、功耗。据悉，美光在单颗芯片内，...
美光uMCP5量产:LPDDR5内存+UFS闪存二合一封装 速度更快空间省55%
TechWeb10月21日消息,继今年3月首次公开之后,美光科技今日宣布,已量产业界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5)DRAM的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品uMCP5。uMCP5有四种不同的密度配置:128+8GB,128+12GB,256+8GB和256+12GB。据介绍,美光uMCP5搭载美光LPDDR5内存、高可靠性NAND以及UFS3.1...