英特尔:Intel 3“3nm”工艺技术已量产
2024年6月20日 - 新浪
英特尔一直将Intel3制造工艺定位于数据中心应用,这些应用需要通过改进的晶体管(与Intel4相比)、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持<0.6V低压以及>1.3V高压以实现最大负载。在性能方面,英特尔承诺,新节点将在相同功率和晶体管密度下实现18%的性能提升。为了获得性能和密度...
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英特尔一直将Intel3制造工艺定位于数据中心应用,这些应用需要通过改进的晶体管(与Intel4相比)、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持<0.6V低压以及>1.3V高压以实现最大负载。在性能方面,英特尔承诺,新节点将在相同功率和晶体管密度下实现18%的性能提升。为了获得性能和密度...