场效应管中英文对照表
2007年11月26日 - 电子产品世界
MOS场效应晶体管(含MES、HEMT)一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压(基极和发射极短路)V(br)ces;电流值:耗尽型(含结型)为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id,IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic;功率值:一般为漏极耗散功率Pd,高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po,IGBT...
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MOS场效应晶体管(含MES、HEMT)一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压(基极和发射极短路)V(br)ces;电流值:耗尽型(含结型)为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id,IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic;功率值:一般为漏极耗散功率Pd,高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po,IGBT...