国芯思辰|安森德MOS管ASDM20N60KQ,对标微碧和新洁能的NCE2060K
2021年11月30日 - 网易
ASDM20N60KQ是安森德推出的中低压场效应管(MOS管)产品,可替代台湾微碧和新洁能的NCE2060K,应用在锂电保护项目上。ASDM20N60KQ特征:低栅极电荷增强模式快速切换高功率和电流处理能力漏源电压(Vdss):20V连续漏极电流(Id):60A功率(Pd):TC=25°C,60W;TC=100°C,25W工作温度:-55°C~150°C(TJ)...
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ASDM20N60KQ是安森德推出的中低压场效应管(MOS管)产品,可替代台湾微碧和新洁能的NCE2060K,应用在锂电保护项目上。ASDM20N60KQ特征:低栅极电荷增强模式快速切换高功率和电流处理能力漏源电压(Vdss):20V连续漏极电流(Id):60A功率(Pd):TC=25°C,60W;TC=100°C,25W工作温度:-55°C~150°C(TJ)...