用于金属材料表面改性的脉冲电子束技术
电子束脉冲持续时间增加的结果是,由于单个发射中心的等离子体在7秒的时间内凝聚成一个不间断的发射等离子体表面,从而消除了电子流的微小不均匀性。电子束穿过阳极电极孔后,在等离子体中被传输到集电极,在集电极上可以放置待辐照的试样和物品。电子束漂移空间中存在的等离子体可以将大电流电子束传输到很远的距离(=10-...
显示装备之殇—— OLED蒸渡端设备深度研究(下)
真空蒸镀过程就是就是通过电流加热,电子束轰击加热和激光加热等方法,将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华,使之在基片表面析出的过程。OLED蒸镀分为有机材料蒸镀和无机蒸镀。有机材料蒸镀:在高真空腔室中设有多个放置有机材料的蒸发源,加热蒸发源蒸镀有机材料,并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。基板放置在...
7.43亿元!中国科学技术大学公布2024年仪器设备采购意向
近日,中国科学技术大学围绕大科学装置发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其进行梳理,统计出176项仪器设备采购意向,预算总额达7.43亿元,涉及500MHz超导高频模组及配套设备、椭圆偏振波荡器、氦制冷机、透射电镜旋进电子衍射系统、顶空进样气相色谱-质谱系统、二维超导磁体等,预计采购时间为2024年6月-11月。中国科学技术...
挑战与机遇并存,系统性拆解半导体设备国产化机会
根据接触电阻率公式,界面处激活杂质离子浓度越高越有利于降低接触电阻率,低能能够保证杂质离子聚集在表面,而大束流则可保证一次注入衬底的粒子浓度更高。低能大束流离子注入机成为终极目标。低能大束流离子注入机设备壁垒较高,国际IC注入机巨头美国应用材料公司也是通过收购Varian,才补全低能大束流离子注入机的版图,构...
OLED之痛——蒸镀工艺【干货】_行业新闻_液晶面板资讯_液晶面板...
以坩埚作为蒸发容器的蒸发源的一般情况如图所示。坩埚蒸发源的蒸发速率、蒸发束流的方向性等介于克努森盒与自由蒸发源之间。点源与面源情况下薄膜相对沉积速率与衬底距离与尺寸的关系蒸发沉积技术的种类电阻热蒸发装置简单,应用广泛;需要针对不同的被蒸发材料选择加热材料和方法;加热温度不能过高,易产生电阻丝等加...
中国集成电路设备的全球竞争力、赶超困境与政策建议
由于芯片尺寸不断缩小,为了实现浅层掺杂,低能大束流日渐成为主流(www.e993.com)2024年10月26日。中国电子科技集团旗下中科信已成功实现离子注入机全谱系产品国产化,包括中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机,工艺已达到28纳米。此外,国内厂商万业企业(凯世通)在光伏离子注入机方面具有领先地位,而在集成电路用离子注入机方面,...
十种物理气相沉积(PVD)技术盘点
在超高真空条件下,由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气,经小孔准直后形成的分子束或原子束,直接喷射到适当温度的单晶基片上,同时控制分子束对衬底扫描,就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂...
半导体设备行业深度报告:新一轮景气周期,大国重器替代正当时
光刻机按照有无掩模,可细分为有掩模光刻机和无掩模光刻机。无掩模光刻机分为电子束/激光/离子束直写光刻机,有掩模光刻机分为接近/接触/投影光刻机。随着光源、曝光方式不断改进,光刻机前后共经历了5代产品,每一代产品都在不断降低光源波长,同时缩小制程线宽。第四代浸入式光刻机,最高制程可达7nm...
半导体靶材行业深度报告:被忽视的核心耗材,十倍空间可期
1.1靶材是溅射镀膜工艺的轰击目标靶材是制备薄膜的主要材料之一,主要应用于集成电路、平板显示、太阳能电池、记录媒体、智能玻璃等,对材料纯度和稳定性要求高。溅射靶材的工作原理:溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子...
半导体设备行业深度报告:国产突破正加速,迎来中长期投资机会
截止目前,光刻相关的光刻机、涂胶显影、去胶设备环节大基金目前尚未入股,上海微电子、沈阳芯源、屹唐等有望后续得到支持。其余清洗、测试环节的至纯科技、华峰测控等优质标的也有望迎来机会。从技术水平来看,刻蚀、镀膜、清洗设备的国产化水平已接近国际主流厂商,在先进的28/14nm晶圆代工产线和3DNAND等...