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沟槽
扬杰科技申请一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法专利,通过在沟槽底部形成高浓度的Pshield区,避免了沟槽栅氧的失效
6月18日 11:35 - 金融界网站
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华微电子取得沟槽肖特基器件专利,极大程度地缓解漏电现象
6月20日 02:15 - 金融界网站
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扬杰科技申请降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法专利,降低了器件沟槽栅氧的击穿失效概率,提高器件可靠性
6月17日 18:05 - 金融界网站
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爱去欧取得一种带沟槽的碳棒滤芯专利,能减少过滤阻力,降低水压损失
6月5日 22:55 - 金融界网站
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晶合集成申请半导体结构的制备方法专利,避免了现有技术中高深宽比沟槽形成过程中发生的过刻蚀损伤问题
6月7日 10:40 - 金融界网站
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