荷兰刚实施禁令,工信部就放出大招!中国光刻机横空出世了
氟化氩光刻机作为深紫外光刻机的一种,其光源波长为193纳米,但通过先进的多重曝光技术和光学系统优化,能够实现小于或等于65纳米的分辨率,从而满足7纳米及以上制程节点的芯片制造需求。这一技术突破不仅意味着中国已经掌握了深紫外光刻机的核心技术,更标志着中国芯片制造能力迈上了新的台阶。三、技术突破背后的意义...
国产DUV光刻机终于来了!虽显稚嫩,但未来可期!
工信部指导目录中最先进的那款氟化氩光刻机,波长193nm,这个完全符合DUV的主要波长数据,可以坐实这就是一台DUV。同时,DUV又分干式和浸润式,用来做高端芯片的是浸润式DUV深紫外光刻机,干式DUV深紫外光刻机更加专注于成熟制程的芯片,比如65nm以上技术节点的半导体芯片。前者浸润式DUV是台积电技术大佬林本坚利用水作...
国产DUV 光刻机迎来突破,量产28nm芯片意义重大
根据消息,光刻机共经历了五代的发展,从最早的436波长,再到第二代光刻机开始使用波长365nmi-line,第三代则是248nm的KrF激光。第四代就是193nm波长的DUV激光,这就是ArF准分子激光。ArF(氟化氩)准分子激光源光刻机,光源实际波长突破193nm,缩短为134nm,NA值为1.35,最高可实现7n...
翡翠紫外可见光谱是什么意思?探讨其天然翡翠特征谱及437nm波长特性
手镯紫外可见光谱是指手镯在紫外光和可见光范围内吸收和发射的光区光的紫光分布情况。手镯是一种常见的仪测首饰,它往往由金属、宝石或其他材料制成。手镯的根据颜色和质地常常是其吸收和反射特性的区域结果。紫外可见光谱是通过测量手镯在特定波长范围内对光的通常吸收和发射来定义的穿透。通过此类方法,咱们可以熟悉手...
没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?
目前ArF光刻机的镜头可将sinθ值做到0.93,EUV光刻机目前只能达到0.33,Hyper-NAEUV的目标值是0.75,也是ASML的终极项目。如果未来没有新技术发明出来,这很可能是芯片物理光刻技术的终结。2)缩短波长:材料与镜头的精准搭配缩短波长主要依靠光源的改变,比如g-Line,i-Line的UV(紫外光),KrF,ArF的DUV(深紫外光)...
新品发布|红相科技TD120紫外成像仪:紫外增强 精准定位
近日,红相科技发布一款新品——TD120紫外成像仪(www.e993.com)2024年9月18日。TD120是一款具备紫外双视场光学变焦的升级型紫外成像仪,具备小巧便携、操作简单、抗干扰能力强等特点。该产品采用红相专利全日盲技术,配备500米激光测距和环境传感器,可做到完全不受日光影响,满足全天候、全视域的检测需求。其特有的紫外增强模式,更能精准定位电晕、电弧...
美国芯片封锁失败!中国自主研发全新光刻机,或将领先全球!
波长不同:SSMBEUV具有波长可调的特性,理论上可以从红外线到X光任意调节波长,满足不同制程和应用的需求;ASMLEUV具有波长固定的特性,只能输出固定在13.5纳米左右的EUV光,无法适应不同制程和应用的需求。体量不同:SSMBEUV属于大型基础设施,需要占用大量的空间和资源,前期投入大,但一旦建成投产,可以同时供应...
EUV光刻,日本强在哪儿?
随着芯片制程由微米级(2μm-1μm)、亚微米级(1-0.35μm)、深亚微米级(0.35μm以下)、纳米级(90-22nm)甚至进入14-7nm阶段,对光刻胶分辨率等性能要求不断提高,光刻技术随着集成电路的发展经历了从G线(436nm)光刻,H线(405nm)光刻,I线(365nm)光刻,到深紫外线DUV光刻(KrF248nm和ArF193nm)、193nm浸没式...
技经观察丨谁能挑战EUV光刻“霸权”
这包括对光学系统的高度精密调校和极紫外光的生成与控制。EUV工件台需要在超过5米/秒的高速、7G的高加速度下实现亚纳米级的精度。这种复杂性增加了技术实施的难度,可能影响加工器件的一致性和可靠性。因而,每一代EUV光刻在初期都面临着良品率较低、导入周期较长的问题,也导致了摩尔定律的放缓。
揭秘华为发布会没提的「7nm芯片」:算力、科技与竞争博弈
塞多少算够?做出14nm芯片,意味着要在每1平方毫米里,塞下3千多万个晶体管。做出7nm芯片,则意味着要在每1平方毫米里,塞下近1亿个晶体管。翻倍的能干。但也,翻倍的艰难。而这,仅仅只是“过万重山”的一个开始。因为光塞得下还不够,那么多晶体管要一起协作,必须按特定的电路图来排兵布阵。