红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功
红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功。这一技术突破将有效解决用户在驾乘过程中的充电焦虑和里程焦虑问题,为未来实现“千伏”以上高压架构奠定了坚实基础。据悉,该功率器件采用了国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片,并创新性地使用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等技术。测试结果显示,器件在最高母线...
国际著名半导体公司英飞凌签约国产碳化硅材料供应商
英飞凌公司正推动其碳化硅(SiC)供应商体系多元化,并与中国碳化硅材料供应商北京天科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议,以确保获得更多具有竞争力的碳化硅来源。天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半导体的6英寸碳化硅材料,其供应量占到英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。英飞凌是国际著名的半导体公司,其前身...
技术质量协同牵引 宏微科技打造新型功率半导体器件服务商
“公司长期看好功率半导体市场。”李四平说,工控业务是宏微科技的“压舱石”,保持稳健增长态势;新能源领域虽然短期面临波动,但长远目标不会变化;第三代半导体方面,公司积极推进碳化硅产品的研发与应用,在高端半导体市场进一步巩固领先地位。研发引领新品突破宏微科技秉持“以客户为中心”的理念,力争成为各领域优秀制造企...
士兰微:碳化硅器件加速迭代,增收不增利局面待解
1、士兰微搭建特色工艺的芯片制造平台,产线覆盖4/5/6/8/12英寸,在功率器件、功率模块、MEMS传感器、高端LED彩屏像素管和光电器件的封装领域,建立了较为完善的IDM经营模式。2、士兰微在功率分立器件、集成电路、MEMS传感器等方面拥有国内领先的核心技术,并且在IGBT、MOSFET等产品性能上达到了国内领先水平。报告期内...
新能源应用牵引 碳化硅国产化加速
据TrendForce数据,从产业链角度来看,碳化硅功率器件主要包括衬底、外延、器件设计、晶圆制造、模块封装等环节,需要指出的是,衬底和外延合计占据碳化硅产品整体成本的7成以上,是决定其质量的关键,因此,得衬底、外延者得碳化硅市场的天下。据东吴证券研报,海外龙头企业在碳化硅衬底领域起步同样早于国内厂商,其中,...
中瓷电子研究报告:国内电子陶瓷龙头,切入碳化硅高成长赛道
2.电子陶瓷外壳市场空间广阔,公司技术发展对标国际大厂2.1.电子陶瓷是电子元器件的核心材料,在很多领域都有应用(www.e993.com)2024年10月20日。电子陶瓷系列产品是高端半导体器件非常重要的一部分,是芯片和外部系统电路连接的关键桥梁,对器件的性能、质量和可靠性有着直接的影响。在电子工业里,它常被用于制造各种电子元件、器件。这种产品...
2024-2030年全球及我国半导体分立器件行业市场监测
2.5全球半导体分立器件行业头部厂商产品列举2.6全球半导体分立器件行业主要生产商总部及产地分布2.7全球主要生产商近几年半导体分立器件产能变化及未来规划第3章中国市场头部厂商市场占有率及排名第4章全球主要地区产能及产量分析4.1全球半导体分立器件行业总产能、产量及产能利用率,2019-2030...
第三代半导体争夺战开启,国内外供应商竞争正烈
不过,尽管碳化硅器件可以工作在更高的结温,具有更快的开关速度和耐压能力,但这些特性对芯片设计、驱动优化、电路保护、模块封装以及系统集成都提出了特别的挑战。此外,应用碳化硅材料的终端产品在长期可靠性方面的评估和认证仍然具有相当的技术难点。目前看到的一个明显趋势,是随着汽车制造商对更高能效和续航能力的追求,...
国家队加持,芯片制造关键技术首次突破
沟槽型碳化硅MOSFET芯片研究在国际上势头红火,罗姆、英飞凌、日本电装、日本住友、安森美、三菱电机功率器件制作在沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术上也有着较强优势。罗姆公开资料显示,罗姆是率先转向沟槽MOSFET的公司,2018年罗姆推出先进的车规级沟槽型碳化硅MOSFET。2020年罗姆开发出第四代沟槽结构MOSFFT,通过进一步改进自...
300亿碳化硅项目即将投产,8个半导体项目汇总!
半导体产业网获悉:近日,三安意法半导体项目、安力科技第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目、全芯微电子半导体高端设备研发制造基地项目、辽宁恩微芯片封装测试项目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化铝项目,日本航空电子高端电子元器件项目、露笑科技第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目和大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目迎来新进...