芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9NA...

第四代三维闪存芯片!长江存储PC41Q 1TB SSD图赏

快科技10月8日消息,日前长江存储PC41Q1TBSSD发布,提供512GB/1TB/2TB可选。现在这款新品的1TB版已经来到我们评测室,下面为大家带来图赏。长江存储PC41Q是基于其第四代三维闪存芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘,拥有高性能、低功耗、更高能耗比等特性。PC41Q高达2400MT/s的I/O速率,最大顺序读取速度达到5...

计划投310亿!背靠长江存储,武汉冲出一家芯片IPO

目前长控集团为武汉新芯的控股股东,持股比例达68.19%。而国内存储芯片巨头长江存储也是隶属于长控集团旗下的全资子公司。也就是说,武汉新芯与长江存储是兄弟公司。经过多年发展,新芯股份已经成为中国大陆特色存储领域最大的NORFlash(代码型闪存芯片,非易失性闪存的主要类别之一)制造厂商。公司发行前股权结构,来源...

三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片,以在人工智能(AI)热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划,其负责半导体业务的设备解决方案部门(DS)目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND,以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大...

UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎

铠侠最新一代UFS4.0闪存芯片提供256GB、512GB和1TB容量规格。这款芯片采用了铠侠的BiCSFlash3D闪存和主控芯片,集成了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0,支持每通道23.2Gbps或者每个设备46.4Gbps的理论接口速度,并向后兼容UFS3.1。与上一代UFS4.0产品相比,新闪存芯片的顺序写入速度提升15%,随机写入速度提升了50...

复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍

在芯片的种类中，存储芯片是非常重要的一种，其市场规模占到了全球所有芯片的三分之一左右(www.e993.com)2024年11月22日。存储芯片分为DRAM内存、NANDFlash闪存等，这些广泛应用于各种电子产品之中，比如大家的电脑、手机，运行内存就是DRAM内存，存储空间（SSD硬盘）就是NAND闪存。目前在全球市场上，国产DRAM+NAND，合计份额，可能还不到5%，所以...

存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...

不论是当前业内一致看好的HBM,还是突然受爆炒的SRAM,实际都暗示着存储芯片赛道的不断升温。就在本周一,国内封测龙头长电科技盘后公告,拟收购晟碟半导体80%的股权,收购对价约6.24亿美元。据悉,标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等,产品广泛应用于移动通信...

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮

红火的市场在2020和2021年继续保持着,但到了2022年,特别是下半年,全球电子半导体市场进入下行周期,大部分芯片元器件都供过于求,NORFlash也未能幸免,又一次进入了低迷期。2022年,各家闪存厂商的营收都出现了明显下滑,以东芯股份(24.270,-0.27,-1.10%)为例,该公司当年NANDFlash产品营收为7.08亿元,同比增长7.27%,...

关键闪存芯片紧缺 固态硬盘价格或起飞在即

据科技媒体Tom'sHardware报道,由于关键闪存芯片紧缺,SSD(固态硬盘)的价格将在本季度晚些时候“飞涨”,尤其是大容量消费级产品。“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片。据了解,M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件,目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高,该产品搭载的NAND芯片需要4个或8个...

存储芯片,这一品类最赚钱

存储芯片细分种类存储芯片依据功能、读取数据方式以及数据存储原理,大致可区分为易失性存储芯片(RAM)和非易失性存储芯片(ROM)。RAMRAM在断电后会丢失所存储的数据,通常用于临时存储数据,如运行中的程序和处理器的缓存。其代表性产品有DRAM和SRAM。