长鑫存储取得隔离沟槽薄膜填充结构专利,避免后续形成的金属位线...
金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法“,授权公告号CN107706145B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示,本发明提供一种隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法,其中,隔离沟槽薄膜填充结构的制备方法至少包括:提供一...
半导体专题:一文看懂薄膜生长
(3)介电薄膜隔离:-利用介电薄膜对不同电路层进行隔离,以防止电子元件之间的干扰。-化学气相沉积(CVD)等技术用于生长绝缘膜,如氧化硅。(4)光刻膜和光阻层:-光刻膜和光阻层用于半导体制造中的图案化处理,通过光刻技术定义器件的结构。-化学气相沉积(CVD)通常用于生长这些薄膜层。(5)氮化物薄膜:...
...氧化工艺(Oxidation)原理、设备、工艺步骤、氧化时间和薄膜...
Oxidation:氧化工艺的主要目的是在硅片表面形成一层氧化硅层(SiO2)。这一层氧化硅具有很多重要的功能,比如作为绝缘层隔离电路元件,或者作为掩模层在随后的工艺步骤中保护硅片的某些部分不受化学药品或离子注入的影响等。原理:氧化工艺的基本原理其实很简单,就是利用氧与硅进行化学反应生成氧化硅。当硅片在高温下与氧气...
周益春教授团队突破HfO??基铁电畴动力学原子尺度隔离带的介观...
近日,西安电子科技大学周益春教授团队,通过相场模拟可视化了外延Hf??.??Zr??.??O??(HZO)薄膜中时间分辨的纳米尺度铁电畴翻转动力学过程,表明了无尺度的畴独立翻转特性(横向尺寸1nm的不可约极性畴仍能稳定)和尖锐的畴壁,这起源于相邻畴之间弱的相互作用,这种相互作用能通过梯度能系数来量化,这揭示了隔离带在...
...集成芯片的制造工艺专利,该专利技术能实现在硅片衬底中隔离出...
专利摘要显示,一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺;步骤为:在硅片衬底上、下表面均形成第一二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除上、下表面第一二氧化硅薄膜层的隔离带区域;对隔离带区域进行硼掺杂形成第一P+区,在上下方向贯通形成隔离墙,在硅片衬底中隔离出四间隔块;形成第二二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除第二二氧化硅薄膜层上的...
...科技大学周益春教授团队突破HfO2基铁电畴动力学原子尺度隔离带...
近日,西安电子科技大学周益春教授团队,通过相场模拟可视化了外延Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜中时间分辨的纳米尺度铁电畴翻转动力学过程,表明了无尺度的畴独立翻转特性(横向尺寸1nm的不可约极性畴仍能稳定)和尖锐的畴壁,这起源于相邻畴之间弱的相互作用,这种相互作用能通过梯度能系数来量化,这揭示了隔离带在铁电畴...
tpu聚氨酯薄膜用于航天领域
tpu聚氨酯薄膜用于航天领域近些年,随着科学技术的发展,聚氨酯弹性体(TPU)原材料广泛用于航空领域。TPU塑料薄膜因其优异的性能其独特的特性,已经成为航空航天中不可缺少的关键材料之一。最先,TPU塑料薄膜在航天应用领域主要表现在航天器的维护和隔离上。航天飞机进到地球大气层时,要面临非常高的温度和气压,TPU塑料薄膜...
中金公司:半导体真空零部件国产替代有望加速
真空系统通常由真空泵(低温泵、干泵、分子泵等)、真空阀门(隔离阀、传输阀、调压阀、插板阀等)、真空测量仪器(薄膜真空规、压力开关等)、真空腔体、真空管路及法兰等核心零部件构成。在半导体干法设备中通常需要在真空条件下利用高频高压使电极周围的气体电离形成等离子体,并对晶圆进行加工,因此真空系统在干法设备中...
公司代码:688195 公司简称:腾景科技
图片来源:nLIGHT网站在光纤激光器中,其关键的光纤器件包括泵源、隔离器、声光器件、合束器等,公司产品在光纤激光器泵源中的应用情况如下:在光纤激光器中,精密光学元组件、光纤器件的技术水平决定了光纤激光器输出的激光功率水平和性能参数,直接影响激光器的可靠性和稳定性,因此光电子元器件对于光纤激光器的制造具有...
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光电子元器件是高性能激光器的基础,其应用了减反膜、反射膜、滤光膜等光学薄膜技术,同时隔离器、合束器、声光调制器等器件也是高性能激光器的重要组成部分,因此高端光电子元器件是支撑高性能激光器制造技术发展的关键环节之一。激光工业发展迅速,全球市场规模将持续增长。