芜湖予秦取得碳化硅晶体生长炉炉壁结构专利,保证碳化硅晶体的生长...

金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,芜湖予秦半导体科技有限公司取得一项名为“一种碳化硅晶体生长炉炉壁结构”的专利,授权公告号CN221940687U,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉炉壁结构,包括支撑架,所述支撑架的顶部内侧固定安装有固定盖,且支撑架的顶部内...

天岳先进P型碳化硅衬底,高压电网的革新引擎

高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题,天岳先进深化布局前瞻性技术,在备受关注的液相法领域,继2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体后再次取得了重大突破,于2024...

北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布

天眼查显示,北京北方华创微电子装备有限公司“碳化硅晶体生长装置”专利公布,申请公布日为2024年8月9日,申请公布号为CN118461121A。本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置,涉及碳化硅单晶材料的制造技术领域,为解决坩埚内的粉体温度均匀性差的问题而设计。碳化硅晶体生长装置包括坩埚、感应线圈组件和盖设于坩埚上方的盖板,...

台湾应用晶体:8英寸碳化硅最快年底送样

台湾应用晶体:8英寸碳化硅最快年底送样9月5日,据台媒报道,台湾大立光电集团控股子公司台湾应用晶体(下文简称“应用晶体”)生产碳化硅(SiC),公司旗下6英寸碳化硅预计10月送样,8英寸产品最快年底送样。source:拍信网资料显示,台湾应用晶体成立于2012年3月,实收资本额为3亿元新台币(折合人民币约6600万元)。企业...

安徽铜陵碳化硅晶圆片项目10月竣工|合景电子厂净化工程装修公司

据悉,安徽铜陵碳化硅晶圆片项目10月厂房竣工交付。该项目总投资13.5亿元,新建碳化硅晶体生产车间、碳化硅晶圆片加工车间等,拟购置研发设备、检测设备和其他辅助设备793台(套)。项目达产后,预计年产碳化硅晶圆片4英寸5万片、6英寸20万片。延伸阅读:合景净化作为专业承接电子光学领域工业厂房净化工程EPC总包方,20余年...

这台单晶炉让碳化硅告别“盲盒生长”

吴春生表示,公司8英寸电阻法碳化硅单晶炉由于解决了碳化硅“盲盒生长”的瓶颈,让工艺开发人员能够更快更准确地验证工艺和晶体实际生长之间的对应关系,大大缩短了工艺开发周期,为后期8英寸衬底量产的可靠性提供了扎实的设备基础,将有助于快速推动8英寸衬底商业化量产的进度(www.e993.com)2024年11月9日。

碳化硅晶体在高科技领域有何应用?这种材料有哪些技术挑战?

碳化硅晶体:高科技领域的璀璨明珠与技术挑战在当今高科技领域,碳化硅晶体正凭借其卓越的性能崭露头角。碳化硅晶体具有一系列独特的特性,使其在众多关键领域得到广泛应用。首先,在半导体领域,碳化硅晶体是制造高性能功率器件的理想材料。相较于传统的硅基半导体,碳化硅具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的导...

克服碳化硅制造挑战,助力未来电力电子应用

SiC通常用于高压应用(>650V),但在1200V及更高电压下,碳化硅开始发挥显著作用,成为太阳能逆变器和电动汽车充电的最佳解决方案。它也是固态变压器的关键推动因素,在固态变压器中,半导体将取代磁性元件。制造挑战SiC的制造并不容易,首先,颗粒的纯度必须极高,并且SiC晶锭需要高度的一致性。由于SiC材料永远不会变成液...

2024下半年碳化硅材料项目动态一览

天科合达碳化硅衬底产业化基地建设二期项目用于扩大其碳化硅晶体与晶片产能,投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底,其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片,8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。投资额70亿元的重庆三安8英寸碳化硅衬底厂在8月底已实现点亮通线,是三安光电为其与意法半导体合资的8英寸碳化硅器件厂配套建设...

智研咨询:2025碳化硅单晶片行业市场深度分析及发展前景研究报告

碳化硅单晶片也称碳化硅晶圆，是沿特定的结晶方向将碳化硅晶体切割、研磨、抛光得到片状单晶材料，其作为半导体衬底材料，经过外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料，具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、...