台积电低功耗芯片路线图

如图17所示,可扩展的三维互连结构可实现越来越高的片内和跨片连接密度,将有助于更密集的VLSI系统支持极高的存储器带宽。图16:除了元素互连解决方案之外,我们还在继续寻找新材料,目标是将通孔和线路电阻降低2倍或更多,从而在初始节点上实现显著的芯片级功率性能优势。图17:三维芯片堆叠集成到2D/2.5D...

中国科大在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展

综上所述,本工作不仅利用第一性原理计算和分子水平的表征技术揭示了同质结构筑的微观机理,也为锡基钙钛矿半导体光电器件的结构设计和能级调控提供了一种可靠的方案。图2.(a)器件结构示意图;(b)锗离子深度分布图;(c)基于第一性原理计算的缺陷形成能;(d)光伏器件J-V曲线对比图;(e)器件最大功率点运行稳定性。

张新亮&余宇Nat. Photonics:实现增益带宽积超过1THz的锗硅雪崩...

图1.所研制的锗硅APD探测器的结构示意图。a,3D示意图;b,2D截面示意图。图2.a,带宽测试结果图;b,带宽和增益带宽积随着增益变化关系;c,测到的高速OOK和PAM4信号的眼图;d,该工作和其他工作的比较。相关论文信息:httpsdoi/10.1038/s41566-024-01421-2学术交流QQ群知光谷光伏器件学术QQ群:64...

下一代晶体管结构:小荷已露尖尖角

CFET示意图（图片来源：imec）在刚刚落下帷幕的2023年IEEE国际电子器件会议（IEDM2023）上，台积电、三星和英特尔各自秀出了在下一代晶体管结构领域的尖端技术。图中这款被称为“互补场效应晶体管（CFET）”的晶体管结构，被视为1nm以下制程的关键要素，是继FinFET和GAA之后的新一代的晶体管技术。它的出现，将为...

重磅!我国科学家取得全固态锂电池研究新突破!

△复合正极和均质化正极在充电过程中微观结构演变示意图与传统材料相比,该材料具有高电导率、高能量密度、长使用寿命等优势:高电导率:这种新材料兼具高离子电导率、高电子电导率,比传统的电池材料(层状氧化物正极材料)高出1000倍以上。这意味着,即便不依赖导电助剂,正极也能顺畅地完成充放电过程,显著提升了电池的...

世界地球日 | 一起认识,这些年我们发现的新矿物

瑞忠锗矿的晶体结构01英文名:Ruizhongite02成分:关键金属锗的一种独立矿物03理想化学式:(Ag2□)Pb3Ge2S804发现自:四川汉源县乌斯河铅锌矿床该新矿物以对矿床地球化学研究作出突出贡献的中国科学院院士胡瑞忠命名,是关键金属锗的独立矿物(www.e993.com)2024年11月23日。瑞忠锗矿的发现,对探索稀散元素的成矿条件、赋存状态...

不放过一个光子!突破极限的太阳能电池

铜原子插入硒化锗(GeSe)和硫化锡(SnS)的二维薄层材料中中间能带像一个台阶,传统单结太阳能电池中无法利用的低能量光子可以激发电子从价带跃迁到中间能带,然后通过第二步跃迁从中间能跃迁到导带,从而产生可以被外部电路利用的电荷载流子。因此有中间能带态的材料允许吸收的光子能量在低于材料带隙的能量的情况下,仍然产...

激光雷达历史、发展梳理

激光Laser的英文全称为LightAmplificationbyStimulatedEmissionofRadiation,直译过来就是受激辐射光放大,听起来有点别扭,但其实精确表达了激光产生的原理,而要讲清这个原理,就不得不从物资原子结构聊起。19世纪末,科学家通过一系列粒子撞击试验后发现:原子是由原子核和绕核运动的电子组成,电子围绕原子核不停地...

光芯片,火力全开

此外,由于p2DEIA方法对折射率的约束,该芯片具有无定形透镜型结构,可以避免谐振特征引起的窄带宽和制造误差敏感性,这在实现大规模集成的光计算芯片中发挥关键作用。(a):p2DEIA方法示意图;(b):无定型透镜结构示意图相关研究人员利用该方法,突破了仿真成本造成的逆向设计面积瓶颈,并成功设计出了大矩阵维度的光学向...

基础知识之晶体管

晶体管最初是由一种叫做“锗”的物质(半导体)制成的。然而,锗具有在80℃左右时会损坏的缺点,所以现在大多采用硅材质。顺便提一下,硅是一种可以承受约180℃高热的物质。二、概述晶体管的代表形状晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类1、按结构分类...