2024冶金科学技术奖简介 | 科技新进展:冶金流程光谱智能质量控制...
项目依托国家重大科学仪器设备开发专项“高端全息光栅研发”(2011YQ12002303),研制了均胶机、全息曝光系统、反应离子刻蚀机、曲面离子束刻蚀机、衍射波前测试仪、杂散光测试仪等多台套覆盖全工艺过程的高端全息光栅制造及检测关键设备,研制了多种高端全息光栅,实现了20万块/年的生产能力,突破了国外的技术壁垒。研制的罗...
2024-2030年CMP制程工艺材料行业市场调研及发展趋势预测报告
当前的芯片制造流程在光刻、刻蚀、沉积等重复性工序后均设置了清洗工序,清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤的30%以上,是所有芯片制造工艺步骤中占比最大的工序,而且随着技术节点的继续进步,清洗工序的数量和重要性将继续随之提升,在实现相同芯片制造产能的情况下,对清洗液的需求量也将相应...
等离子体刻蚀在半导体图案化中工艺流程
然后,将经过光刻工艺处理的晶圆转入刻蚀过程,进行干法刻蚀处理。干法刻蚀主要采用反应离子刻蚀(RIE)法进行,在这一过程中,主要通过更换适用于各个薄膜的源气体来重复进行刻蚀。干法刻蚀和湿法刻蚀都旨在增加刻蚀的纵横比(A/R值)。此外,还需要通过定期清洁来清除积聚在孔洞(刻蚀形成的间隙)底部的聚合物(Polymer)。重要...
2024年中国钙钛矿电池工艺流程分析 镀膜、涂布、激光刻蚀为关键...
整个过程中三层薄膜(空穴传输层HTL、钙钛矿层、电子传输层ETL)制备最为关键,镀膜、涂布、激光刻蚀为核心环节,镀膜设备(PVD、RPD)、激光设备和涂布机为核心设备。以反式平面结构为例,其工艺流程为:导电透明玻璃制备-激光P1刻蚀-制备第一传输层薄膜-退火/干燥-制备钙钛矿层薄膜-退火烘干-制备第二传输层薄膜-退火/干...
【科普】芯片制造工艺流程
科普芯片制造工艺流程集成电路的平面工艺,主要包括氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入和金属镀膜等。一、氧化一般来说SiO2是作为大部分器件结构中的绝缘体或在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。氧化的方法有两种:(1)湿氧氧化:氧化剂是氧气和水蒸气的混合物、氧化速度快:适合生长厚的氧化层(2...
降低半导体金属线电阻的沉积和刻蚀技术
通常,铜线的制作流程是用沟槽刻蚀工艺在低介电二氧化硅里刻蚀沟槽图形,然后通过大马士革流程用铜填充沟槽(www.e993.com)2024年10月19日。但这种方法会生出带有明显晶界和空隙的多晶结构,从而增加铜线电阻。为防止大马士革退火工艺中的铜扩散,此工艺还使用了高电阻率的氮化钽内衬材料。我们可以使用物理气相沉积(PVD)以10至100电子伏特的高动能沉积...
KAUST大学李晓航教授团队研发MicroLED制造新工艺
常规的Micro-LED工艺需要引入等离子刻蚀技术定义像素台面。在刻蚀过程中,台面侧壁受到等离子体轰击和紫外光子辐照,导致严重的表面损伤和缺陷,例如晶格畸变和杂质污染。这些缺陷充当电流泄露路径和非辐射复合中心,严重危害Micro-LED效率。随着器件尺寸的减小,等离子体损伤带来的不利影响愈加严重,使Micro-LED器件效率呈现显著的...
万字总结,50家厂商,五大XR产业上游趋势
波导方面,按材料的不同,主要有玻璃、树脂与碳化硅(SiC);按技术路径,还可分为几何光波导、表面浮雕光栅光波导、体全息光波导;按量产工艺的不同,还可分为纳米压印、刻蚀、纳米压印+刻蚀以及一体注塑成型。网传某海外大厂即将发布的AR眼镜可能采用LCoS+碳化硅材料的光波导方案,这也使得今年我们看见了不少与LCoS显示技...
东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...
首先自对准多重图形必须有大量重复的配套流程,包括但不仅限于刻蚀、薄膜沉积等步骤,工艺复杂度大幅提升。同时多重曝光所采用的193nm光源本身也存在分辨率极限,不能满足5nm以下的制程需求。所以现阶段顶尖制程所需要的设备仍是以高分辨率光源为突破口的EUV光刻机。1.3瑞利公式指引光刻机技术不断突破(1)瑞利公式...
【开源北交所】光刻胶+原材料壁垒突破,“专精特新”企业助力国产...
1.1、光刻胶是光刻工艺关键材料,半导体光刻胶技术壁垒高光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模板转移到待加工基片上的图形转移介质。其中曝光是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使光刻胶的溶解度发生变化。光刻胶主要用于微电子领域的...