我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近期,我国科学家通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。8月15日,该研究成果以题为“一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管”的论文在《自然》期刊上发表,由中国科学院金属研究所刘驰研究员...
中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,成果登上 Nature
据中国科学院金属研究所官方今日消息,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于8月15日以题为...
晶体管家族添新成员,我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。该工作开辟了晶体管器件研究的新领...
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管
模拟NMOS晶体管的漏极电流和栅极电压与时间的关系图。图6。模拟的90nmNMOS晶体管的漏极电流和栅极到源极电压与时间的关系图。图片由RobertKeim提供正如预期的那样,当有足够的栅极电压(VGS)时,漏极电流开始流动,并且随着VGS的增加而增加。如果我们放大上面的图,我们可以看到漏极电流曲线开始更快地增加(图7)。
苹果M4芯片问世,晶体管数量达280亿,使用台积电第二代3nm工艺
据介绍,作为一款片上系统,M4的晶体管数量为280亿个,由台积电第二代3纳米工艺制成[1]。从CPU上看,该芯片具有10个内核,分别是4个用于提供单线程性能与响应能力的性能内核,和6个用于提供多线程性能与能效的效率内核。新款内核中具有更新后的分支预测功能,能让前一种内核采用带宽更高的解码和...
迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管,将用于构建大型人工智能超级...
该公司官网称,这是目前世界上运行速度最快的人工智能(AI)芯片,将此前纪录提高了1倍(www.e993.com)2024年9月23日。WSE-3拥有4万亿个晶体管,也使其成为迄今最大的计算机芯片,专门用于训练大型AI模型,未来也有望用于目前正在建设中的“秃鹰银河3号”AI超级计算机。迄今最快的芯片将为大型AI超级计算机提供动力。图片来源:CerebrasSystems官网...
...牛刚教授课题组在关于二硫化钼铁电场效应晶体管光电探测器的...
近日,西安交通大学电信学部电子学院任巍教授、牛刚教授团队利用基于二硫化钼沟道和外延铁电HZO薄膜栅介质的光电晶体管实现了高响应度光电探测。本工作是在精密微纳制造技术全国重点实验室和电子陶瓷与器件教育部重点实验室支持下完成的。该工作利用优化的具有背栅结构和肖特基对650nm波长光电响应进行了实验验证并实现良好的光...
英伟达造了个2080亿晶体管的怪物:性能高达4亿亿次每秒
NVIDIA创始人兼CEO黄仁勋,NVIDIA目前按照每隔2年的更新频率,升级一次GPU构架,进一步大幅提升AI芯片的性能。两年前推出的Hopper构架GPU虽然已经非常出色了,但我们需要更强大的GPU。B200:2080亿个晶体管,FP4算力高达40PFlopsNVIDIA于2022年发布了采用Hopper构架的H100GPU之后,开始引领了全球AI市场的风潮。
基于量子干涉的单分子晶体管面世,可用于制造更小更快更节能的新一...
科技日报记者??刘霞英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子晶体管,利用量子干涉来控制电子流。这一成果为在电子设备中使用量子效应带来了新的可能...
最强AI芯片!英伟达B200发布:2080亿晶体管,FP4算力达40PFlops
英伟达B200发布:2080亿晶体管,FP4算力达40PFlops当地时间3月18日,人工智能(AI)芯片龙头厂商英伟达在美国加州圣何塞召开了GTC2024大会,正式发布了面向下一代数据中心和人工智能应用的“核弹”——基于Blackwell架构的B200GPU,将在计算能力上实现巨大的代际飞跃,预计将在今年晚些时候正式出货。同时,英伟达还带来了Grace...