第四代三维闪存芯片!长江存储PC41Q 1TB SSD图赏

快科技10月8日消息,日前长江存储PC41Q1TBSSD发布,提供512GB/1TB/2TB可选。现在这款新品的1TB版已经来到我们评测室,下面为大家带来图赏。长江存储PC41Q是基于其第四代三维闪存芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘,拥有高性能、低功耗、更高能耗比等特性。PC41Q高达2400MT/s的I/O速率,最大顺序读取速度达到5...

三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中,三星的主要竞争对手包括了SK海力士和铠侠等。其中SK海力士也在开发400层的NAND闪存,目标是在2025年年底做好大规模生产的准备。三星的时间表其实差不多,大概在2026年初。在传统的NAND闪存芯片中,存储单元堆叠在外围电路上方,外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300...

UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎

这款芯片采用了铠侠的BiCSFlash3D闪存和主控芯片,集成了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0,支持每通道23.2Gbps或者每个设备46.4Gbps的理论接口速度,并向后兼容UFS3.1。与上一代UFS4.0产品相比,新闪存芯片的顺序写入速度提升15%,随机写入速度提升了50%,随机读取速度提升30%,顺序读取速度不变,依旧维持在4640MB/s...

联芸科技申请闪存控制芯片的验证方法和系统专利,大大缩短验证时间

金融界2024年8月25日消息,天眼查知识产权信息显示,联芸科技(杭州)股份有限公司申请一项名为“闪存控制芯片的验证方法和系统“,公开号CN202310196507.8,申请日期为2023年2月。专利摘要显示,公开一种闪存控制芯片的验证系统及方法。该系统通过模拟固件行为的固件行为模拟器,缩短了CPU对固件的调度耗时...

复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍

超快闪存集成工艺和统计性能不仅如此，这种闪存芯片，采用全新的二维半导体结构，比现有的闪存速度，快1000倍，实现了纳秒级超快存储闪存技术。资料显示，在原子级薄层沟道支持下，这种8nm工艺的闪存芯片，具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。可以预见的是，一旦这种闪存技术大规模量产，将...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

IT之家6月14日消息，西部数据在前不久的投资者活动上预览了2Tb容量版本的BICS8（218层）QLCNAND芯片，这也是业界目前最高密度的闪存芯片(www.e993.com)2024年11月22日。该存储颗粒专为满足数据中心与AI存储需求设计，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来越庞大的数据存储需求。一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而...

铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样:最高1TB、封装尺寸更小

快科技4月23日消息，铠侠宣布出样最新一代UFS4.0闪存芯片，新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格。据介绍，新闪存芯片提升了5G网络的利用率，从而加快了设备的下载速度，同时使延迟大幅降低，让用户的使用体验得到明显增强。同时，更小的封装尺寸有助于节省电路板空间，提升电路板的利用率，让电路设计更加灵活从容...

关键闪存芯片紧缺 固态硬盘价格或起飞在即

“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片。据了解,M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件,目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高,该产品搭载的NAND芯片需要4个或8个3DNAND器件封装在一起,以确保高性能。但最近,一方面上游闪存厂商持续大规模减产,同时放缓升级制程工艺的节奏,另一方面,不少下游厂...

重大突破!这类芯片华为以后自己产

话不多说,先把这张最重要的图片放上来,1、闪存芯片TechInsights等拆解公司,去年就已经拆过Mate60手机,当时他们发现,这款手机使用的是韩国海力士制造的DRAM和NAND存储芯片。不过,在此之前海力士已经明确表示,不再与华为有任何业务往来。当时分析师就认为,这些芯片可能是华为“沉在松山湖下面”的库存。

美光开始量产第9代NAND闪存,速度高达3.6 GB/s

美光宣布已开始量产第9代(G9)TLCNAND闪存芯片,并将其应用于SSD中,成为业内首家实现这一里程碑的公司。这款全新的G9NAND闪存具有业界最高的3.6GB/s传输速度,为读取和写入数据提供了无与伦比的带宽,特别适用于人工智能(AI)和其他数据密集型应用,从个人设备和边缘服务器到企业和云数据中心都能受益。