复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍

超快闪存集成工艺和统计性能不仅如此，这种闪存芯片，采用全新的二维半导体结构，比现有的闪存速度，快1000倍，实现了纳秒级超快存储闪存技术。资料显示，在原子级薄层沟道支持下，这种8nm工艺的闪存芯片，具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。可以预见的是，一旦这种闪存技术大规模量产，将...

华为发布全闪存存储新品 M.2闪存条读取速度达7400MB/s

凤凰网科技讯（作者/杨睿琪）2月21日，在华为数据存储新春新品发布会上，华为推出基于GFS全局文件系统的数据湖解决方案，实现数据资产的可视、可管、可用。同时，华为还针对商业市场与分销市场发布了全闪存存储新品，推出读取速度达7400MB/s的eKitStorXtreme系列高性能M.2闪存条。华为推出的数据湖解决方案具备三大能...

读写速度快、安全性能高的固态硬盘该怎么选?SSD选购攻略

它采用了NVMePCIe3.0x4接口,顺序读取和写入速度可达2100和1700MB/s,这个速度在SSD当中不算高,但对于没有装过SSD的用户来说,可以说是体验感原地飞升了。它采用日本原厂的闪存颗粒,可充分发挥BiCSFLASH3D闪存潜力,性能稳定,最高可配1GBDRAM独立缓存。1TB容量,适合日常使用,价格亲民,属于不会让人失望的入门...

长江存储PC411 1TB空盘与半盘性能对比测试:填入60%数据 读写依旧...

长江存储PC411系列搭载了基于晶栈Xtacking3.0架构的NAND闪存,I/O速度高达2400MT/s,相比市面上同类产品速度提升50%以上,只需要四通道就能跑满PCIe4.0x4的极限带宽。较少的通道数也让PC411拥有极低的功耗,无需散热片就能低温稳定运行,非常适合笔记本。这就是雷神猎刃16游戏本的内部构造,双风扇5热管的散热器...

铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片:连读写入速率提升 15%

性能方面,新一代UFS4.0闪存连续写入速度提升15%、随机写入速度提升50%、随机读取速度提升30%,最高读取速率维持双通道UFS4.0上限4640MB/s不变。(IT之家注:测试对比的前代产品为512GB容量的THGJFLT2E46BATP)铠侠称256GB与512GB容量的产品本月开始出样,1TB版今年6月出样,样品的技...

QLC闪存玩出新境界!江波龙全球首发用于eMMC 意义深远

它采用群联E26主控,搭配美光232层TLC闪存,容量1/2/4TB,支持SLC动态缓存,顺序读写速度最高12GB/s、10GB/s,并配备主动风扇散热、ARGB灯效(www.e993.com)2024年11月22日。在CFMS2024上,众多存储厂商秀出自己的最新技术成果,江波龙作为在存储行业深耕25年的龙头企业,几款新品的亮相也充分展示了其技术实力,让外界看到了它转型为半导体存储品牌...

让台式机电脑的USB接口速度突破3700MB/s!USB4主板与存储设备实测

这款颗粒得益于晶栈Xtacking3.0架构带来2400MT/s的I/O速度(单颗闪存接口速度),与上一代相比提高50%,在连接PCIe4.0M.2接口后,可实现高达7000MB/s的标称顺序读取速度,其标称顺序写入速度也有6600MB/s,在写入性能上也达到了旗舰级PCIe4.0SSD的水平。

UFS与eMMC性能差距到底有多大?

从图表来看,即使每个闪存标准都取最高值进行对比,其持续读取速度情况类似:后者差不多是前者的两倍,而持续写入速度方面,UFS2.0的速度是eMMC5.1的三倍,而UFS2.1的持续写入速度并没有对UFS2.0造成碾压,但依旧很高,达到了180MB/s。去年基本上大多数旗舰机采用的都是UFS2.0闪存,eMMC5.1已经称为普通千元机的...

超声波指纹加持 3K 档新星选手 iQOO Neo9S Pro+ 评测

iQOONeo9SPro+开启超分中的"超高画质"选项,就能够实现真正意义上的物理1.5K分辨率。从下方使用游戏内拍照功能,拍摄的图片信息来看,我们可以明确地看到该图片的分辨率为2800×1260p,通过和开启超分功能之前的画面对比,也能看出来明显的区别。

iPhone14充电头换了吗 iphone14和iphone13对比如何?

iPhone14的充电头还是和之前的一样,但速度可能会提升至30W左右,这样充电效率也会更快。目前iPhone13系列的快充标称是20W,如果是充iPhone13手机需要大概1小时半的时间,如果使用30W的充电器,那么可以减少充电时间。iPhone14iphone14和iphone13对比如何?差别不大iphone14对比iphone13在续航上有略微提升,iPhone13电池...