国产光刻机突破,长江存储转向国产设备,存储芯片替代加速

到2017年11月，长江存储研发出国内首款32层3DNANDFlash芯片，其技术水平位居全球第五；到2019年底，成功量产64层3DNANDFlash，技术水平上升至全球第四；2020年4月，推出128层闪存产品，其存储密度和I/O速度均优于美光和海力士的同类产品，技术水平跃升至全球前三。2022年8月，全球首次发布232层3DNAND芯片，...

突破!长江存储的X3-6070闪存芯片每个单元可进行4,000次擦写循环

X3-6070采用了长江存储的第三代Xtracking架构，拥有128层，虽然层数相对较低，但长江存储表示，这正是实现高耐久性的关键之一。长江存储还提到了其他三个因素，包括闪存物理层材料的创新、新的纠错算法以及固态硬盘控制器级别的优化。据称，X3-6070每个单元可以持续进行4,000次编程/擦除循环，与当代3DTLCNAND闪存...

长鑫、长存两大中国存储芯片巨头受美国打压后,发展如何?

长江储存以"CrystalStack"的方式,从64到128,再到232,与美光、三星等国际大公司并驾齐驱,更在232层的制程上,超过三星等企业,率先实现232层3D闪存的批量生产。但是,这个想法很快就被美国阻止了,因为他们试图阻止我们128层NAND快闪记忆体的发展,以及128个以上的硬体与科技。长江存储现在的232层内存,已经很少了...

长江存储突破QLC闪存寿命!4000次P/E,TLC也不过如此

长江存储可能是唯一一家声称其3DQLCNAND与3DTLCNAND一样耐用的公司,其他闪存制造商在这方面也在取得进展。长江存储的X3-6070芯片的4,000次编程/擦除循环是一项伟大的成就。目前尚不清楚考虑到其只有128个活动层,这款芯片在竞争中的地位如何,而其他厂商则提供了拥有176层或更多活动层的QLC3DNAND设备。长...

一文读懂:美光、晋华握手言和,“存储芯片战”剧终

公开资料显示,长江存储的存储器在中国处于领先水平,2022年就有消息指出长江存储的128层NANDFlash存储芯片已通过了苹果验证,将成为iPhone的Flash供应商,相关产品也已经供给国产手机品牌商。业界人士估计,长江存储产品虽然与韩国、美国企业在技术节点上存在代差,但成本比美光、三星等低20%左右,苹果、戴尔这些客户,如果控...

中美“存储芯片大战”剧终,美光、晋华握手言和

公开资料显示,长江存储的存储器在中国处于领先水平,2022年就有消息指出长江存储的128层NANDFlash存储芯片已通过了苹果验证,将成为iPhone的Flash供应商,相关产品也已经供给国产手机品牌商(www.e993.com)2024年11月25日。业界人士估计,长江存储产品虽然与韩国、美国企业在技术节点上存在代差,但成本比美光、三星等低20%左右,苹果、戴尔这些客户,如果控...

长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,被美打压后,发展怎么样了?

原本国内有三大存储芯片基地的,一是长江存储主攻NAND闪存,一家是长鑫存储主攻DRAM内存,还有一家是福建晋华,主攻的也是DRAM内存。不过后来因为美光的原因,晋华陷入停滞状态,没什么进展,只有长江存储、长鑫存储还在继续突破。长江存储发明了“晶栈”技术,从64层到128层,再迅速突破到232层,于三星、美光等巨头,站到同...

武汉新芯科创板IPO申请获受理,长存集团持股超68%!

随后国外权威研究机构TechInsights对长江存储的128层TLC3D闪存进行了芯片级的拆解,发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48Gb/mm??。2022年,长江存储还曾一度打入了苹果iPhone供应链,为iPhoneSE3供应NAND,但是由于美国对苹果的施压,便没有了后续。2022年四季度,美国升级对华半导体出口管制政策,限制128层及以上...

长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,受美国打压后,如何发展?

这表明，尽管面临种种压力，长鑫存储在技术和产能方面依然在不断突破，竞争力也在逐步提升。长江存储的挑战与机遇长江存储则是专注于NAND闪存领域的龙头企业。他们创造了一项名为“晶栈”的技术，从64层闪存突破到128层，再快速发展到232层水平，并与三星、美光等国际巨头站在了同一起跑线上。甚至在232层技术上，...

半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕

在3DNAND芯片制造环节,公司的等离子体刻蚀设备可应用于64层和128层的量产,满足更高深宽比的刻蚀设备正在研发中。公司主要客户包括台积电、英特尔、联华电子、格罗方德、海力士、意法半导体、华力、华虹、中芯国际、博世、长江存储、长鑫存储等。