国产芯片突破五纳米 订单延续至2026年

在当前全球科技竞争态势日益升温的背景下，芯片产业的自我突破显得尤为重要。2024年很可能成为中国芯片发展的一个重要转折点。随着国内在5纳米光刻机领域取得显著进展，尤其是在RISC-V架构的崛起下，中国正在重塑芯片产业的格局。在经济命脉和国家安全的双重考量下，这是一场不容忽视的技术革命。光刻机，这个芯片制造过...

国产芯突破5纳米,美芯巨头直接将订单给到2026年,倪光南说对了

5纳米工艺是当前半导体制造的一个重要里程碑。相比之前的7纳米、10纳米工艺，5纳米工艺能够让芯片的尺寸进一步缩小，同时大幅提升芯片的性能和能效。这项技术的掌握，意味着通富微电已经跻身全球顶尖半导体企业行列。更令人惊讶的是，通富微电的技术创新并不仅限于5纳米工艺。据业内人士透露，该公司在7纳米以下的技术...

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

他表示:“国产氟化氩光刻机它的波长大概193纳米,用193纳米要做一个8nm的技术,绝对是可能的,它要把193再除以2再除以2,就除到一个程度就会变成接近8nm,只要它在那个地方印好几次,就像一个东西,他这样印一遍就变成一半,于是再来玩一次再变成一半,这种东西在技术上是可行的。”我们知道,芯片制造商在使用光刻机...

国产套刻8nm光刻机引争议,我们追赶对象真的是ASML吗?

两则消息凑在一起,某些媒体和所谓大V们据称撰文称,该设备可以用于生产8纳米及以下工艺的芯片制造,甚至EUV光刻机的推出也是指日可待。于是乎又一波中国通过自主创新,突破封锁的情绪开始蔓延。事实究竟如何?差距15-20年,ASML领先太多针对我们开篇所说的情绪蔓延,也有不乏理性的媒体和业内人士,从客观真实的角度分析...

港媒:国产光刻机公布重大技术突破,但半导体自给之路仍任重道远

这些指标显示出中国在芯片制造技术上的进步,体现了科技自立自强的决心。然而,相较于全球最先进的光刻设备,中国的技术水平还有明显差距。荷兰阿斯麦(ASML)公司生产的先进DUV光刻机的分辨率可以达到38纳米以下,叠层精度更是低至1.3纳米。此外,极紫外线(EUV)光刻机的技术水平更高,波长仅为13.5纳米,几乎比DUV光刻机的...

纳米压印能否打破EUV光刻机垄断?佳能需要先兑现今年量产的诺言

ASML生产的EUV光刻机是全世界唯一能量产7纳米以下先进制程芯片的设备(www.e993.com)2024年11月26日。今年1月,其又向外界首次公开展示了制造2纳米芯片的最新一代HighNAEUV光刻机。佳能希望纳米压印设备能够做到与其“共存”。而这一切的前提,都建立在佳能能否兑现量产诺言,真正将纳米压印技术推广至行业规模化生产芯片。

4nm突围!2026年国产4nm手机芯片将量产,背后的逻辑和价值是什么?

从以上消息来看,国产4nm手机Soc进入4nm时代不远了,但据业内人士透露2026年可能性比较大!另外,值得一提的是,紫光展锐和小米自研的这两款Soc采用的都是ARM、IMG等国外IP核心,可以说都是基于ARM技术打造的国产芯片。但仍然是国产芯片重要的一步,如果两款芯片在国产手机上进行规模化应用,意味着打破高通和联发科手机...

硅基芯片走到尽头?国产芯片“换道超车”,玻璃晶圆打孔技术公开

根据佳能执行官御手洗富士夫表示:“这款产品的价格将会比ASML的EUV光刻机少一位数。”虽然纳米压印设备价格便宜,但缺点也很明显,那就是生产速度没有EUV技术快,目前佳能已经推出型号为FPA-1200NZ2C的纳米压印设备,能生产5nm级别的芯片,这对阿斯麦的EUV光刻机来说是不小的威胁。

投入25.4亿美元!俄罗斯计划开发本土光刻机等芯片制造工具

然而,由于外国公司对俄罗斯实施出口管制,俄罗斯不得不加快自主研发光刻机的步伐。据VasilyShpak透露,俄罗斯计划在2024年开始生产350nm光刻机,并在2026年启动用于生产130nm制程芯片的光刻机项目。此外,还有消息称,俄罗斯有望在2028年开发出能够生产7纳米芯片的光刻机,这将是对ASML等国际巨头的有力挑战。

国产90nm的光刻机,经多重曝光后,能生产28nm芯片?

也因为写着90nm,所以很多人争起来了,有人说最多就是制造90nm制程的芯片,也有人说这台光刻机属于ArF光刻机,最多可以达到65/55nm。还有人说,虽然是90nm,但经过多次曝光后,可以达到28nm精度,那么问题来了,它究竟能制造多少纳米的芯片?如果不进行多重曝光,肯定最多就是达到ArF的极限,也就是65/55nm,这是光...