SK 海力士以 HBM3e 16hi 产品引领市场,提升容量极限

SK海力士最近在SKAI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e16hi内存,每个立方体的容量为48GB,样品定于2025年上半年推出。TrendForce的最新发现显示,这款新产品面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用。16hiHBM3e产品有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。TrendForce报告称,HBM供应商传统上在每一代产品中都会...

SK海力士HBM3E量产时间提前至9月底

SK海力士HBM3E量产时间提前至9月底SK海力士总裁KimJoo-sun于9月4日出席“SemiconTaiwan2024”并发表“面向AI时代的HBM(高带宽存储器)和先进封装技术”主题演讲,宣布SK海力士将于9月开始量产其12层第五代高带宽存储器HBM3E产品,时间点早于原先规划的第四季度。KimJoo-sun表示:“8层HBM3E产品自今年年初开始...

电子行业海外科技周跟踪:SK海力士推HBM3e 16hi,思科需求好转调升...

SK海力士推HBM3e16hi产品,推升位元容量上限根据Trendforce报道,SK海力士在SKAISummit2024活动中透露其正在开发HBM3e16hi产品,每颗HBM芯片容量为48GB,预计将在2025年上半年送样,有望在HBM4世代量产前推升HBM3e世代位元容量上限。SK海力士在HBM3e时代推出16hi产品,主要是考虑台积电CoWoS-L可提供的封装尺寸将在2...

消息称特斯拉已要求SK海力士和三星提供HBM4芯片样品

在技术发展方面,SK海力士正在开发16层堆叠的HBM4内存,并计划于2025年量产。该公司与台积电合作,使用台积电的5纳米工艺来创建HBM4封装底部的基底芯片,并计划引入混合键合技术以减少存储芯片堆叠缝隙的高度,实现更多层数的堆叠。而三星电子已经成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存,并计划将该技术用于HBM4内存量产...

HBM4量产时间提前,特斯拉向SK海力士、三星表达采购HBM4意向

而三星电子已经成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存,并计划将该技术用于HBM4内存量产。三星计划在明年下半年量产12层HBM4堆叠。值得一提的是,SK海力士董事长崔泰源近期也表示,英伟达要求提前六个月交付下一代HBM4芯片,SK海力士有望在2025年下半年向客户供应HBM4芯片。

SK 海力士 36GB 12 层 HBM3E 芯片量产开启

韩国的SK海力士周四透露,它已成为首家大规模生产备受期待的36GB12层HBM3E芯片的芯片制造厂商(www.e993.com)2024年11月22日。...这些芯片计划于今年年底交付给客户。高带宽内存(HBM)芯片采用堆叠设计,DRAM层通过硅通孔(TSV)相互连接,以更紧凑的外形实现更高的内存密度。由于最近在人工智能、GPU和超级计算机等高需求领域的激增,这些...

SK海力士宣布开发HBM3e 16hi产品

近日,在备受瞩目的SKAISummit2024活动上,SKhynix(SK海力士)宣布了一项令人振奋的科技创新成果——正在开发的HBM3e16hi产品。这款新产品标志着在高性能计算和云服务领域内存技术的重大突破,每颗HBM芯片的容量达到了前所未有的48GB,并预计在2025年上半年进行送样。

SK海力士宣布开发16层HBM芯片,预计明年上半年开始出货

SK海力士从今年3月开始向英伟达供应8层HBM3E，9月开始量产最新的12层HBM3E产品。该公司预计将在明年上半年开始出货16层的HBM3E芯片，并在下半年推出下一代HBM4芯片。郭鲁正表示，SK海力士计划在生产16层HBM3E芯片时，采用以前用于12层产品的先进的大规模回流模压下填充（MR-MUF）工艺。MR-MUF是该公司于2019年...

SK海力士推出全球首款16层HBM3E芯片,明年初提供样品

明年初提供样品SK海力士11月4日在首尔SKAI峰会上推出了业界首款48GB16层HBM3E芯片，计划2025年初向客户提供样品。今年9月底，SK海力士宣布开始量产全球首款12层36GBHBM3E产品。SK海力士首席执行官郭鲁正表示，16层HBM3E芯片相比12层HBM3E芯片的训练性能提升了18%，推理性能提升了32%。

全球首款!SK海力士展出16层HBM3E芯片:业界双第一

快科技11月4日消息，在今天的SKAI峰会上，韩国存储巨头SK海力士展出了全球首款48GB16层HBM3E产品，容量和层数均为业界最高。SK海力士CEOKwakNoh-Jung表示，16层HBM市场预计将从HBM4开始兴起，但SK海力士已提前开发48GB16层HBM3E，并计划2025年初向客户提供样品。此前，SK海力士已于9月底宣布开始大规模生产...