中国发布最新DUV光刻机,套刻精度8纳米!与最先进设备差多少?
需要说明的是,套刻精度与制程工艺是两码事,新光刻机的套刻精度小于8纳米,不意味着能够量产8纳米工艺制程的芯片,实际上也不存在所谓的8纳米制程工艺芯片。而网上传的8纳米制程显然是营销号为了吸引眼球而炮制出来的谎言。新公布的国产光刻机,其分辨率为65纳米,与ASML的1460k光刻机相当,均属于光刻技术中的第...
台积电前技术长坦言:死盯着芯片的几纳米发展没有意义,只是个数字...
一方面是台积电的工艺比较稳,功耗控制较好,合作商都选择跟台积电合作,另一方面就是三星自己对这项技术还没有信心,自家的Exynos2400芯片,都选择采用了FinFET技术的4nm工艺。03各企业的发展目前来说,掌握着核心技术的两大代工厂商就是台积电和三星,这两家在晶圆加工领域有着深厚的技术基础。国内发展最好的晶圆企业...
台积电前技术长坦言:死盯着芯片的纳米没有意义,以后是堆叠技术
目前最先进的技术是3nm。这些工艺采用的技术手段是胡正明教授于1999年开发的FinFET技术。该技术有效改善了电路控制和漏电,并缩短了晶体管的栅极长度,以便将来可以堆叠更多的晶体管。该技术被台积电、三星等国际大厂采用。直到现在,大厂商量产的先进工艺芯片仍然选择使用这种技术。不过,据消息人士透露,三星的第二代3n...
...实现材料技术重大突破【附显示驱动芯片技术赛道观察图谱】
作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。8月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石,这种材料具有卓越的绝缘性能,即使在厚度仅为1纳米时,也能有效阻止电流泄漏,该材料...
我国首次建立基于硅晶格常数溯源的集成电路纳米线宽标准物质
据悉,市场监管总局近日批准建立平面结构纳米线宽标准物质和立体结构纳米线宽标准物质。这一举措将打通极小纳米线宽量值向硅晶格常数溯源的计量途径,为我国集成电路制造提供最精准的“标尺”。该技术将促进集成电路芯片制造水平的提升,推动我国集成电路产业发展。
下一代芯片的关键:芯片互连技术的创新
图3芯片对芯片的混合键合是实现亚微米级互连密度三维片上系统(3D-SoC)集成的关键技术(www.e993.com)2024年9月18日。Imec采用SiCN作为键合介电层的专有方法,使互连间距缩减至400纳米。微凸点与混合键合的比较在2.5D技术中,芯片模块通过小型焊料凸点放置在中间层上,实现电气和机械连接。这些微凸点之间的间距越细,连接速度和稳定性就...
日媒报道:中国芯片架构升级,7纳米达成5纳米性能目标
铸梦中国芯:跨越七纳米至五纳米的科技征途在21世纪的科技浪潮中,中国科技企业以惊人的速度崛起,成为全球科技版图上一股不可忽视的力量。2023年的秋天,当一家中国公司宣布其新款手机搭载了自主研发的7纳米5G芯片,并展现出与高通5纳米骁龙8G1相媲美的性能时,整个科技界为之震动。这一成就不仅标志着中国芯片设计...
传统复杂光学光刻技术的替代解决方案!纳米压印技术实现更低成本的...
财联社9月30日讯纳米压印采用接触式压印完成图形的转移,可应用于芯片光刻和AR眼镜光波导方案等领域,是传统复杂光学光刻技术的替代解决方案。苏大维格9月8日在互动平台表示,根据相关资讯,纳米压印光刻技术在集成电路领域的应用可实现更低成本的芯片量产。
芯片巨头开战2纳米
TrendForce集邦咨询分析师乔安接受采访分析称,目前观察各家2纳米芯片的客户状况来看,以台积电最为积极,已有超过10家客户导入研发;三星的2纳米基础仍建立在其3纳米制程技术上,需要持续观察良率改善情况;英特尔独立对外部客户的服务则主要集中在Intel18A制程上。她判断,预计要到2026年才会看到各家2纳米产品出现在市面上...
“芯片”为什么越小越好?
散热性能:较小的芯片有助于改善电子设备的散热性能,减少因过热导致的性能降低或损坏。便携性与应用:微型化的芯片使得电子设备可以设计得更加轻薄和便携,满足了现代人对移动设备轻便、易携带的需求。当前芯片的最小尺寸目前,全球最先进的芯片制造技术已经达到了3纳米(nm)甚至更小的尺度。例如,台积电(TSMC)已经宣布...