还在意速度?不好意思我已经选择好看的了|闪存|外置|ssd|固态硬盘|...

aigoP3采用的是无缓方案,在闪存颗粒方面,aigoP3使用了两颗海力士的闪存芯片,熟悉SSD的都知道海力士在存储方面的实力。aigoP3采用的是海力士H25T2TC88C芯片,176层堆叠4DTLC闪存,采用ONFI4.2协议,传输速率达到1600MT/s,DieSize是512Gbit,单颗封装了8个Die,所以单颗容量就有512GB,两颗组成1TB的容量。aigo...

【IPO一线】深交所:终止对芯天下创业板IPO审核

根据《深圳证券交易所股票发行上市审核规则》有关规定,深交所决定终止对芯天下首次公开发行股票并在创业板上市的审核。据了解,芯天下是一家专业从事代码型闪存芯片研发、设计和销售的高新技术企业,提供从1Mbit-8Gbit宽容量范围的代码型闪存芯片,是业内代码型闪存芯片产品覆盖范围较全面的厂商之一。公司现有主要产品包...

存储芯片” ”最强黑马,大基金持股,背靠华为,望强势起飞

国内存储龙头企业,A股中技术最为先进的存储厂商。公司研发的闪存芯片,具体为串行的代码型闪存芯片,广泛应用于消费类电子产品,汽车电子及工业控制设备等领域。另一家则潜力巨大。该公司是国内顶尖的存储芯片设计公司,业务覆盖5G、工业、安防和消费电子等多个行业。作为A股中唯一同时获得大基金和华为持股的企业,它还得...

传三星出售中国西安芯片厂旧设备及产线

三星电子将出售位于中国西安的芯片厂旧设备及产线,该芯片厂主要生产NAND闪存芯片,也是三星电子在全球范围内唯一的海外NAND闪存芯片生产基地...近日,有消息传出三星电子将出售位于中国西安的芯片厂旧设备及产线。这一决定是三星在半导体部门实施大规模成本削减和产线调整的一部分。预计这些设备的出售过程将于2025年正式...

芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9...

第四代三维闪存芯片!长江存储PC41Q 1TB SSD图赏

长江存储PC41Q是基于其第四代三维闪存芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘,拥有高性能、低功耗、更高能耗比等特性(www.e993.com)2024年11月21日。PC41Q高达2400MT/s的I/O速率,最大顺序读取速度达到5500MB/s。与此同时,PC41Q内置完善的功耗管理机制,使得其在PS4模式下功耗低至2W,处于行业领先水平。

联芸科技申请闪存控制芯片的验证方法和系统专利,大大缩短验证时间

金融界2024年8月25日消息,天眼查知识产权信息显示,联芸科技(杭州)股份有限公司申请一项名为“闪存控制芯片的验证方法和系统“,公开号CN202310196507.8,申请日期为2023年2月。专利摘要显示,公开一种闪存控制芯片的验证系统及方法。该系统通过模拟固件行为的固件行为模拟器,缩短了CPU对固件的调度耗时...

绕过光刻机造8nm芯片?复旦大学突然宣布,外媒:大势已去了

更令人振奋的是，复旦大学的研究团队宣布了一项重大突破，他们研发出了一种可以绕过光刻机设备的自对准工艺，结合超快存储叠层电场设计理论，将闪存芯片推进至8nm制程。这一技术突破意味着在存储芯片领域，可以通过新工艺直接制造出8nm制程的闪存芯片，有望改写全球闪存芯片市场的格局。尽管美国试图通过技术封锁来限制...

iPhone 6s内部芯片揭秘 仍有16GB版本

虽然此前一直有传闻称,iPhone6s将取消16GB版本,直接从32GB容量起步。但根据此次9to5Mac曝光的内部芯片谍照显示,iPhone6s仍以16GB存储容量起步,并且闪存芯片为东芝提供,使用的是19纳米制造工艺。不过,9to5Mac也表示16GB容量版本有可能仅限测试之用,但有可能在正式版本中提供更大的容量。此外,由于苹果高管表示iClou...

三星罢工或引发内存/闪存芯片涨价

三星电子最大工会自7月8日发起罢工以来,持续十二天,成为该公司历史最持久、规模空前的劳工抗议事件。该罢工引发了许多关注,尤其是对全球电子产品市场的影响。据消息人士透露,这场罢工可能会导致内存和闪存芯片价格上涨,并引发供应链的不稳定。三星电子是全球领先的内存和闪存芯片供应商,还生产手机屏幕和手机CMOS等产品...