【突破】清华“太极-Ⅱ”芯片突破智能光计算训练难题;我国科学家...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石,这种材料具有卓越的绝缘性能,即使在厚度仅为1纳米时,也能有效阻止电流泄漏。相关成果8月7日发表于国际学术期刊《自然》。“二维集成电路是一种新型芯片,用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构...
美卖力施压,中国造出来了,德媒:中国突破7纳米芯片光刻机技术
光源193纳米,能实现分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm,主要应用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片;另外哈工大公布“高速超精密激光干涉仪”研发成果,被认为是解决7nm以下光刻机难题的关键技术之一,还有长春光机所也在EUV光源系统上取得突破。
中科院新突破!我们能生产5纳米高端芯片了,GAA技术让日子更红火
国内芯片产业的最新突破——成功实现5纳米芯片的量产,无疑是一项振奋人心的利好消息。这种国产芯片与进口芯片相比拥有不少优势:在性能上匹敌国际先进水平,在供应链自主性上则完全不受外部控制,价格方面也更具竞争力。此外,中国科学院的这一成就标志着中国在全球科技创新舞台上的权威地位进一步得到肯定,有力反驳了外...
五大高校科研团队在集成电路上有最新突破!
上海交大研究团队在半导体材料中有最新突破近日,上海交通大学物理与天文学院郑远林、陈险峰教授研究组研究了非线性晶体纳米腔中增强的光参量过程,在薄膜铌酸锂中通过Anapole共振机制克服了材料的折射率限制并将光强局域在纳米腔内,实现了四个数量级的二次谐波增强。该成果以“Enhancedsecond-harmonicgenerationinthin-...
日媒确认,中国芯片通过架构升级,将7纳米芯片做到5纳米性能
中国芯片制造主要基于现有的DUV光刻机研发,普遍认为现有的DUV光刻机可以生产的最先进工艺应该是7纳米,如果不计成本或许能以多重曝光技术生产5纳米,但是那样不仅成本高得离谱,芯片良率也将大幅下降,从经济性方面来说非常不划算。为此中国芯片行业尝试通过其他方式提升芯片性能,如芯片堆叠技术、小芯片技术等等,通过将多...
国产芯片设备替代进口设备,技术再突破,中国芯再度赶上美国
与手机芯片等所采用的工艺不一样,手机芯片已开始用3纳米工艺,而存储芯片为了确保耐用性目前最先进的工艺也在10纳米以上,国产的存储芯片就采用了19纳米工艺,国产的芯片设备已可以实现部分替代,中微、北方华创等国产芯片设备企业的设备可以满足要求(www.e993.com)2024年10月17日。如今它终于实现300层以上的技术,再次追平韩国和美国的存储芯片,代表...
科技新突破 | 我国科研团队在下一代芯片领域取得新突破 成功研发...
科技新突破|我国科研团队在下一代芯片领域取得新突破成功研发出世界首个碳纳米管张量处理器芯片北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队,在下一代芯片技术领域取得重大突破,成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片。该芯片采用新型器件工艺和脉动阵列架构,将3000个碳纳米管晶体管集成为张量处...
黄仁勋:中国芯片落后美国10年7纳米是数字游戏,基辛格也这么说
英伟达总裁黄仁勋认为,在半导体芯片上中国落后美国10年以上,他觉得华为所谓的7纳米只不过是在玩数字游戏而已!“我对华为说自己7纳米并不感到意外,14纳米也好,7纳米也好,造手机没问题,都不过是他们说个数字而已,但性能并没有提升。现实的情况果真如此吗?倪光南院士有话说,他认为中美芯片差距并不大,当下两国在争第...
五大高校科研团队在集成电路上有最新突破!
上海交大研究团队在半导体材料中有最新突破近日,上海交通大学物理与天文学院郑远林、陈险峰教授研究组研究了非线性晶体纳米腔中增强的光参量过程,在薄膜铌酸锂中通过Anapole共振机制克服了材料的折射率限制并将光强局域在纳米腔内,实现了四个数量级的二次谐波增强。
「7纳米以下」芯片光刻技术获专利!外媒:中国大陆正迎头赶上
而据陆媒报导,中国大陆的通讯设备公司华为最新推出的MateXT三折迭屏幕手机采用的麒麟9000处理器基于5纳米工艺制成。这也表明尽管备受国际制裁,陆企仍有能力生产出7纳米以下的先进芯片。但与此同时,也有分析人士认为,华为和其合作伙伴找到了规避芯片设备出口管制的管道,目前还没有压倒性证据表明华为拥有这些关键技术的...