首期规模120亿的江城基金成立:将重点聚焦泛半导体产业
中国科学院院士、武汉大学工业科学研究院执行院长、动力与机械学院院长、江城基金专家委员会首席科学家刘胜则建议:“江城基金未来应聚焦关键核心技术,重点投资那些能够解决‘卡脖子’问题的核心技术和关键环节,如高端芯片设计、先进封装技术、化合物半导体、第四代半导体材料,如氧化镓,金刚石,氮化铝等超禁带半导体材料...
第三代半导体的重大突破:碳化硅MOSFET芯片的全新篇章
碳化硅作为一种第三代半导体材料,因其优异的性能而备受关注。它具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等特性,非常适合应用于高功率、高频和高温环境。目前,业内主要使用的碳化硅MOSFET芯片是平面型结构,但在性能上存在一定的局限性。相比之下,沟槽栅结构的碳化硅MOSFET芯片具有更低的导通损耗、...
中国半导体芯片研发再获两大重要突破:世界首创和全球首款
显芯科技总经理、创始人严丞辉介绍,当前,全球半导体顶尖工艺已经来到2nm时代,但对于半导体显示来说,综合考虑成本问题,28nm是目前国内工艺的天花板。其中,画质调节芯片要求集成各种补偿算法,开发难度高,制造要求先进逻辑制程,是显示芯片品类国产化率最低的产品之一。据悉,该款28nm显示芯片采用“数字芯片+内置RRAM”...
功率半导体IDM龙头士兰微上半年营收创历史新高,第三代半导体业务...
研发力度持续加大,第三代半导体业务蝶变在即公司的第三代半导体业务孕育蝶变。截至目前,士兰明镓已形成月产6000片6吋SiCMOS芯片的生产能力,预计三季度末产能将达到9000片/月,预计2024年年底产能将达到12000片/月。2024年上半年,基于公司自主研发的Ⅱ代SiCMOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块,已通过吉利、汇川等...
第四代半导体金属锗价格飙升 美国储量第一不开采
除无人机领域外,镓、诸是半导体关键金属,它们也都是战略性电子材料。因为它们属于第四代半导体材料,相比前几代在光谱相应范围和迁移率上都有比较大的优势。根据公开资料,我国金属镓的消费领域包括半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性材料等,其中半导体行业已成为镓最大的消费领域,约占总消费量的80...
第三代半导体发展现状及未来展望
2020年9月,中国明确提出2030年“碳达峰”与2060年“碳中和”目标(www.e993.com)2024年10月22日。第三代半导体被称为绿色半导体,SiC电力电子器件具有高击穿电压、高效率、高频率等特性,其器件节能性是硅器件的4倍,是支撑“双碳”战略的核心器件。由其制成的芯片在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、智能电网等场景具有广阔的应用前景。
第三代半导体哪家强?士兰微成长性高居第一,120亿投资夯实长期高...
根据公告,该项目建设完成后,将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片月产6万片的生产能力。各方通过项目实施,结合各方的优势,将项目公司建成一家符合国家集成电路产业发展规划、开展以第三代半导体功率器件研发、制造和销售为主要业务的半导体公司,并具有国际化经营能力,以取得良好的经济、社会效益;支撑带动终端、...
下一代芯片用什么半导体材料?专家:未来方向必然是宽禁带半导体
宽禁带半导体一般被称作第三代半导体,主要包括碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝等,优点是禁带宽度大(>2.2ev)、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高,可用于高温、高频、抗辐射及大功率器件,也是目前各国大力发展的新型半导体器件。
下一代芯片的关键:芯片互连技术的创新
这是专门讨论芯片组件的两部分系列的第一部分。本系列涉及互连技术的最新发展。芯片模块化技术,超越炒作《麻省理工科技评论》将芯片模块化技术评为2024年十大突破技术之一,芯片模块化技术已经引起了半导体界的广泛关注。芯片模块化技术指的是小型的、专用功能的芯片模块,例如CPU或GPU,可以混合搭配组成完整的系统。这种...
未来可期,2023中国功率半导体和第三代半导体发展现状和前景分析
国家持续出台相关政策支持第三代半导体发展,2016年7月,国务院《关于印发“十三五”国家科技创新规划的通知》明确发展第三代半导体芯片;2019年11月工信部将第三代半导体产品写入《重点新材料首批次应用示范指导目录》,2019年12月,在《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》中明确要求加快培育布局第三代半导体产业,推动制造业...