什么情况?印度建芯片厂,中企转让技术!
也曾与台积电合作,开发了第二代4GbDDR3SDRAM技术的DRAM内存芯片;在1993年,又自主研发出了全球第一款32M级别的DRAM芯片;2000年,力积电继续“高光”推出了全球第一款1GBNAND型的Flash闪存芯片。总之就是,力积电是有真技术与实力的。而在印度合作的塔塔电子,也不是“牛粪芯片”类型的企业,而...
DRAM芯片战争——输赢千亿美元的生死搏杀(上)
DRAM内存芯片市场,累计创造了超过1万亿美元产值($1000,000,000,000美元)。企业间掺杂着你死我活的生死搏杀。美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手,怀揣巨额筹码,高高兴兴地走进来,却在输光光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地。就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM,也分别在1986年...
存储芯片掘金(下篇)一飞冲天,A股中的稀缺标的
存储芯片全平台,主流应用全覆盖:兆易创新作为国内领先的闪存芯片设计企业,主要产品为SPINORFlash、2DSLCNANDFlash及32bitMCU,目前,已重磅切入行动式DRAM赛道,致力于打造国内唯一的存储芯片全平台公司。随着智能工业制造(工业4.0)、人工智能(AI)与物联网(IoT)不断引领未来市场增长,公司产...
...10万美元起家,成就超857亿市值芯片牛股 | 周末阅读
芯技佳易、镇江隆智是芯片设计企业,武汉新芯则是芯片制造企业。常见的存储芯片中,DRAM、NANDFlash、NORFlash三者各有利弊,适用不同的终端应用市场。相比前两类产品,NORFlash主要用来存储代码及少量数据,适用于机顶盒等物联网终端设备,近年来也被用于TWS耳机中。在21世纪初期,巨头们更多地将目光放在工控、手机...
从一无所有到世界第三,“中国三星”做对了什么?
合肥新桥机场东南方,一座总投资约1500亿元的芯片先进制造厂拔地而起。不到四年,工厂一期工程投产,设计产能每月12万片晶圆。作为安徽省单体投资最大的工业项目,瞄准世界前沿工艺,它承担着DRAM型存储芯片(动态随机存取存储器,俗称“内存”)自主制造的重要任务。
填补IC产业空白,恒烁半导体助力合肥打造“IC之都”
2016年5月,集设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地,合肥长鑫项目启动(www.e993.com)2024年10月19日。根据规划,被誉为“战略性新兴产业”的合肥长鑫项目是一个12吋晶圆基地,专攻DRAM芯片研发生产。当然,合肥的存储“野心”不止于此,除了DRAM产业的布局外,在晶圆制造产业、封测产业、装备制造产业都有全面布局,并且在市场空间增长较快的NORFla...
方正证券:CIS进入48M时代 半导体产业格局迎来重塑
堆叠式技术方案的发展趋势是由2层芯片堆叠向多层芯片堆叠方向发展。2层堆叠方案将像素模块晶圆与数字电路处理晶圆堆叠。3层堆叠方案则将像素模块晶圆、DRAM存储晶圆及数字电路处理晶圆堆叠。堆叠技术的应用提升了CMOSimagesensor的高速拍摄能力,相比传统的图像传感器处理速度提升4倍。
沧海桑田话存贮 内存/显存发展编年史-泡泡网
当开始ASR之后,将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率,因为刷新频率高的话,消电就大,温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下,尽量减少刷新频率,降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计,并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能,因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围(SRT,...
剪不断理还乱!DDR1-3和GDDR1-5全解析
所以内存芯片的位宽一般都很小,台式机内存颗粒的位宽最高仅16bit,常见的则是4/8bit。这样为了组成64bit内存的需要,至少需要4颗16bit的芯片、8颗8bit的芯片或者16颗4bit的芯片。而显卡对位宽要求很高,容量反而退居其次,所以显存颗粒的位宽普遍比内存颗粒大(这就是显存和内存主要区别之一),比如GDDR3/4/5颗粒都...