...产品;锐成芯微首席执行官:全球芯片短缺倒逼产业链供应链自主可控
近年来,我国在半导体科技领域取得了举世瞩目的成就,智能处理芯片、碳基芯片、光通信芯片、新型场效应管等关键核心技术取得突破性进展,有力支撑了我国新一代信息技术的发展。2月8日,《半导体学报》发布了2020年度中国半导体十大研究进展。1、全球首款多阵列忆阻器存算一体系统图片来源:半导体学报清华大学钱鹤、吴华...
吃透MOS管,看这篇就够了
6).场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。7).场效应管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路,但是场效应管制造工艺简单,并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性,在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管,目前的大规模和超大规模集成电路中,...
0.1纳米时代!巨头发力下一代晶体管CFET
GAAFET即环绕栅极场效应晶体管,其架构本质就是把FinFET的Fin旋转90°,然后把多个Fin横向叠起来,这些Fin都穿过gate。GAAFET有两种结构,一种是使用纳米线(Nanowire)作为电子晶体管鳍片的GAAFET;另一种则是以纳米片(Nanosheet)形式出现的具有较厚鳍片的多桥通道场效应管MBCFET。据悉,三星在3nm制程节点就已经导入GAAFET...
半导体芯片,到底是如何工作的?
于是,随着时间的推移,一种新的晶体管开始出现,也就是场效应晶体管(FieldEffectTransistor,FET)。1953年,贝尔实验室的伊恩·罗斯(IanRoss)和乔治·达西(GeorgeDacey)合作,制作了世界上第一个结型场效应晶体管(JunctionFieldEffectTransistor,JFET)原型。JFET(结型场效应晶体管),此为N沟道JFET是一种三...
NMOS和PMOS详解
PMOS管使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。NMOSPMOSCMOSCMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成,先介绍MOS管...
我国车规级IGBT市场现状及龙头企业分析
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由双极性三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,因此兼顾了两者高输入阻抗、驱动功率小与饱和压降低的优点,同时克服了两者的缺点[1](www.e993.com)2024年9月9日。BJT、MOSFET和IGBT的对比来源:火石创造根据公开资料整理...
技术文章—MOS管场效应管详解
VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关...
电力场效应管的结构和工作原理
电力场效应管的结构和工作原理功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、...
IR芯片在步进电机驱动系统的应用
3场效应管驱动电路的改进如图2所示,典型应用电路是由IR21844驱动2个N沟道MOSFET管或IGBT组成的半桥驱动电路。固定的栅极参考输出通道(L0)用于下端连接的功率场效应管T2,浮动的栅极输出通道(HO)用于上端连接的功率场效应管T1。以驱动N沟道MOSFET管为例来介绍。功率MOS—FET是电压型驱动器件,没有少数载流子的存储...
科普:图说芯片技术60多年的发展史
6.芯片技术不断成熟,沿摩尔定律快速发展1962年,美国无线电公司(RCA)的史蒂文.霍夫施泰因(StevenHofstein)弗雷德里克.海曼(FredericHeiman)研制出了可批量生产的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,并采用实验性的16个MOS晶体管集成到一个芯片上,这是全球真正意义上的第一个MOS集成电路。