SK海力士明年供应321层TLC NAND;三星扩产先进封装;美国商务部加快...

3、韩国11月前20天半导体出口额同比增长42.5%,达77.1亿美元4、美国商务部加快芯片补助发放工作5、群联电子获ISO/SAE21434汽车网络安全认证1、SK海力士量产321层NAND闪存,明年上半年开始供应SK海力士宣布开始量产全球最高的321层1TbTLC4DNAND闪存,计划从明年上半年起向客户提供。SK海力士在此次产品开发过...

特斯拉据悉要求三星和SK海力士提供HBM4芯片样品

11月20日消息，半导体行业消息人士透露，三星电子和SK海力士正在各自为特斯拉公司开发第六代高带宽内存（HBM4）芯片原型。行业消息人士称，特斯拉已要求这两家公司提供通用的HBM4芯片，预计将在对两家公司的样品进行测试后选择其中一家作为其HBM4供应商。（韩国经济新闻）

特斯拉据悉向SK海力士或三星采购HBM4芯片

半导体行业消息人士称，SK海力士和三星电子近期正在为特斯拉研发HBM4芯片样品，特斯拉将在测试样品后选择其中一家供应商。相较微软、谷歌、Meta等主要采购的定制化芯片，特斯拉将采购通用HBM4，用于强化其超级计算机Dojo性能。（韩国经济日报）

韩国股市上涨0.4% 金融股和人工智能芯片股上涨

AI芯片巨头英伟达前夜在华尔街的上涨,推动韩国本土芯片供应商SK海力士股价上涨1.6%,芯片制造设备制造商HanmiSemiconductor上涨2.0%。韩国国民银行上涨3.1%,领涨韩国银行股。

全球首款!SK海力士展出16层HBM3E芯片:业界双第一

快科技11月4日消息，在今天的SKAI峰会上，韩国存储巨头SK海力士展出了全球首款48GB16层HBM3E产品，容量和层数均为业界最高。SK海力士CEOKwakNoh-Jung表示，16层HBM市场预计将从HBM4开始兴起，但SK海力士已提前开发48GB16层HBM3E，并计划2025年初向客户提供样品。此前，SK海力士已于9月底宣布开始大规模生产...

韩芯片制造商海力士:出售在大连工厂的传闻是没有根据的

对于这一消息,SK海力士在4月27日接受香港《南华早报》采访时表示:“有关出售该工厂的传闻是没有根据的(www.e993.com)2024年11月25日。”这家全球第二大存储芯片制造商称,“SK海力士大连工厂的建设将按计划完成”。《南华早报》报道称,美国当下正在向韩国和其他经济盟友施加压力,要求将中国从全球科技供应链中孤立出去。有关SK海力士关闭中国工厂...

美“芯片禁令”启动,目标直指中国,韩媒:韩国企业高兴不起来

“没有免费的午餐,韩国企业正为美国‘芯片禁令’细则而苦恼”,《韩国经济》1日称,随着美国商务部公布补贴实施细则,三星、SK海力士等韩国芯片和半导体巨头正在为是否申请美国补贴而进退两难。一旦接受补贴,不仅未来10年不能在中国投资芯片和半导体产业,还有诸如在美国工厂内设免费幼儿园等各种过分要求。这些韩国企业在中国...

SK海力士宣布开发16层HBM芯片,预计明年上半年开始出货

SK海力士从今年3月开始向英伟达供应8层HBM3E，9月开始量产最新的12层HBM3E产品。该公司预计将在明年上半年开始出货16层的HBM3E芯片，并在下半年推出下一代HBM4芯片。郭鲁正表示，SK海力士计划在生产16层HBM3E芯片时，采用以前用于12层产品的先进的大规模回流模压下填充（MR-MUF）工艺。MR-MUF是该公司于2019年...

韩国芯片巨头SK海力士股价猛涨9%!刚宣布量产HBM3E高带宽内存

智东西9月26日消息,据路透社报道称,韩国芯片巨头SK海力士今日开盘后股价显著上涨,涨幅超过了9%。此前SK海力士宣布成功研发并推出世界上首款最新一代的HBM(HighBandwidthMemory,简称HBM),并将其命名为HBM3E,目前公司已经开始批量生产。在AI需求持续增长的市场环境下,HBM芯片能够满足当下AI技术快速发展的需要,可以有...

美投行巨头称“存储器凛冬将至”,韩国芯片双雄大跌

盘中,韩国芯片股重挫,SK海力士大跌逾9%,韩美半导体跌逾7%,三星电子也跌超3%,主要原因是此前摩根士丹利警告称存储器市场“凛冬将至”,并将SK海力士目标价从26万韩元下调至12万韩元。近日,摩根士丹利发布的研报称,内存行业已进入周期末期,对SK海力士进行了“双重降评”,在下调评级至“减持”的同时,“腰斩”其...