8种开关电源MOS管的工作损耗计算
计算IDS(on)rms时使用的时期仅是导通时间Ton,而不是整个工作周期Ts;RDS(on)会随IDS(on)(t)值和器件结点温度不同而有所不同,此时的原则是根据规格书查找尽量靠近预计工作条件下的RDS(on)值(即乘以规格书提供的一个温度系数K)。2、截止损耗Poff截止损耗,指在MOSFET完全截止后在漏源电压...
MOS管开关电路设计,用三极管控制会容易烧坏?
MOS管开关电路MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电路简单,BOM成本低!缺点...
吃透MOS管,看这篇就够了
做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放,运放分析的虚连、...
...瑞新增专利信息授权:“可上电自动开机与定时关机的开关机电路”
分档检测电路、开关控制电路以及单片机;电源分档模块包括输入电源、分档开关和档位线路;分档检测电路包括与档位线路连接的模式电阻,模式电阻的一端连接于档位线路的输入端,模式电阻的另一端连接于单片机;开关控制电路包括依次连接的启动电容、第一N沟道MOS管、P沟道MOS管;当档位线路与输入电源连接时,启动电容充电...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
另一种工作状态是MOS管的高侧状态从高电平变为低电平时,这是漏极衬底二极管开始导通的时间,MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流,有电流就有发热,并非电场型的就没有电流(www.e993.com)2024年9月9日。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要路过一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。
MOS管和IGBT管有什么区别?
在电路中,选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管,这是工程师常遇到的问题,如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑,可以总结出以下几点:也可从下图看出两者使用的条件,阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用,“?”表示当前工艺还无法达到的水平。
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
过压保护比较器阈值MOSFET降额系数设计背景几乎所有的电子元器件,特别是半导体芯片对电压都是敏感的,也就是说当前级电源供给后级元器件或电路模块的电压超过后级所允许的最大电压值时,后级器件或电路将无法正常工作,甚至彻底被损坏。因此,通过过压保护措施限制供电电压显得非常重要。过压保护是指当被保护的电路电...
电磁流量计在挖泥船上的应用
空管检测电路上,CPU作为从控制器。当主控制电路上发出空管检测查询信号wire,从控制器进行识别后接收并判断出查询什么信号,然后产生应答信号上传至主控芯片输出显示;当检测为空管信号时,从CPU发出的zero信号通过控制MOS管开关来关断流速输出。在应用中,对于微弱信号的放大及提取还需注意PCB板设计时EMI电磁屏蔽考虑,屏蔽来...
干货| 用 MOS管构建双向逻辑电平转换器电路
另一种工作状态是MOS管的高侧状态从高电平变为低电平时,这是漏极衬底二极管开始导通的时间,MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C...