MOS管常见的几种应用电路
这里要注意的是,I2C输出状态有低电平、高阻两种状态。当SDA低电平,D1的GS压差73.3V可以导通,VGA_SDA也是低电平。当SDA高阻抗状态,D1的S引脚有R2上拉到3.3V,MOS管GS截止。由于VGA_SDA由R5上拉到5伏,这时VGA_SDA就是5V。当VGA_SDA低电平,由于D1中有体二极管的存在,S初始被R2上拉,当D极是0的...
MOS管及其外围电路设计
该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...
干货| 用 MOS管构建双向逻辑电平转换器电路
当低端为高电平时,即MOS管的源极电压为3.3V,由于未达到MOS管的Vgs阈值点,MOS管不导通。此时MOS管的栅极为3.3V,源极也为3.3V。因此,Vgs为0V,MOS管关闭。逻辑1或低侧输入的高状态通过上拉电阻R2在MOS管的漏极侧反映为5V输出。在这种情况下,如果MOS管的低侧将其状态从...
硬件基础知识问答大全
关电源输出电流大,带负载能力强,转换效率高,但因为有开关动作会有高频辐射。LDO是通过调整三极管或MOS管的输入输出电压差来实现固定的电压输出,基本元件是调整管和电压参考元件,电压转换的过程是连续平滑的,电路上没有开关动作。LDO电路的特点是输出电压纹波很小,带负载能力较弱,转换效率较低。·请问电荷泵升压电...
这40个模拟电路基础知识太有用了!
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别:BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”,FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子,“多子”。12、发射极正偏,集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式:共基极,共发射极(最多,因为电流,电压,功率均可以放大),共集电极。
芯片设计流片、验证、成本的那些事
①MOS管的快慢分别指阈值电压的高低,快速对应阈值低,慢速对应阈值高(www.e993.com)2024年10月20日。GBW=GM/CC,其它条件相同情况下,vth越低,gm值越高,因此GBW越大,速度越快。(具体情况具体分析)②电阻的快慢。fast对应的是方块电阻小,slow对应的是方块电阻大。③电容的快慢。fast对应的是电容最小,slow对应的是容值最大。
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
a.差异化充放电速度,采用二极管加速放电速度b.当第一种方案不足时,关闭时直接把GS短路米勒振荡还有可能是MOS源极对地寄生电感偏大,在MOS进入开启状态从二极管换流至MOS的瞬态电流在MOS源极对地的寄生电感上产生一个压降,所以在PCB布板的要遵守开关电源布板的基本要求。
干货|揭开MOS管损坏之谜,终于找到原因了!
Mos管在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即...
干货|原来MOS管都是这样损坏的
Mos管在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos管烧坏的原因主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即...
干货|MOS管损坏之谜
干货|MOS管损坏之谜第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的...