讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
总结:27个模拟电路基础知识!
发射结正偏,集电结反偏。正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压,经电容滤波只输出交流信号。010功放要求输出功率尽可能大高效率非线形失真小晶体管的散热和保护011频率补偿所谓频率补偿,就是指提高或...
100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
根据发射结和集电结的偏置状态,可以定义三极管的几个不同的工作区。截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个断开的开关。放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
放大状态时,集电结反偏。反偏时,应该由少数载流子导电,而此时,基区里面,恰好有大量的少数载流子。那么,反偏的集电结,会出现很大的电流Ic,就一点也不奇怪了。---由于三极管制作工艺的特点,基区复合的电流Ib,和集电极反偏的电流Ic,存在一个比例关系,即:Ic=/β1*Ib...
晶体管的工作状态判断和工作条件
在电源Eb的大小已经确定的条件下,改变Rb的阻值就可以改变晶体管的静态电流Ib,从而也改变了集电极静态电流Ic和管压降Vce,使放大器建立起合适的直流工作状态(www.e993.com)2024年9月11日。二、晶体管工作状态的判断晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7...
15个配电高级工基础知识,偏难,八成都会的就可以准备考技师了!
电工是一门特殊的工种,不仅需要有过硬的现场实干经验,而且需要有一定的电力基础知识的储备,实际的工作中,很多的电工师傅经验很丰富,手里也能出活,可是你一旦让他给你讲原理说理论,他就什么都不知道了,这是让很多的电工老师傅尴尬脸红的事情。1、零序电流保护的各段保护范围是如何划分的?
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
这就导致了以上我们所说的结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的,甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”,也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下,集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电...
干货|深度剖析IGBT的结构与工作原理
N沟型的IGBT工作是通过栅极—发射极间加阀值电压VTH以上的(正)电压,在栅极电极正下方的p层上形成反型层(沟道),开始从发射极电极下的n-层注入电子。该电子为p+n-p晶体管的少数载流子,从集电极衬底p+层开始流入空穴,进行电导率调制(双极工作),所以可以降低集电极—发射极间饱和电压。
科学家首次制备出硅-石墨烯-锗高速晶体管
a-d.使用轻掺杂Ge衬底时的硅-石墨烯发射结和石墨烯-锗集电结IV曲线、输入(Ie-Ve)和转移(Ic-Ve)特性曲线、共基极增益α、输出特性(Ic-Vc)曲线。e-h.使用重掺杂Ge衬底时的相应曲线。图4考虑石墨烯量子电容效应时晶体管的能带示意图。a.无偏压。b.发射结正偏。c.集电结反偏。相关物理现象及...