总结:27个模拟电路基础知识!
发射结正偏,集电结反偏。正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压,经电容滤波只输出交流信号。010功放要求输出功率尽可能大高效率非线形失真小晶体管的散热和保护011频率补偿所谓频率补偿,就是指提高或...
100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
根据发射结和集电结的偏置状态,可以定义三极管的几个不同的工作区。截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个断开的开关。放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
放大状态时,集电结反偏。反偏时,应该由少数载流子导电,而此时,基区里面,恰好有大量的少数载流子。那么,反偏的集电结,会出现很大的电流Ic,就一点也不奇怪了。---由于三极管制作工艺的特点,基区复合的电流Ib,和集电极反偏的电流Ic,存在一个比例关系,即:Ic=/β1*Ib/β是β上面加一横。
晶体管的工作状态判断和工作条件
二、晶体管工作状态的判断晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7V,Vbc《0V(具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定):对于NPN型锗管,Vbe≈0.2V,Vbc《0V;对于PNP型的晶体三极管,上述电压值的符号相反,即小功率PNP...
干货|深度剖析IGBT的结构与工作原理
4.反向阻断当集电极被施加一个反向电压时,J1就会受到反向偏压控制,耗尽层则会向N-区扩展(www.e993.com)2024年9月17日。因过多地降低这个层面的厚度,将无法取得一个有效的阻断能力,所以这个机制十分重要。另一方面,如果过大地增加这个区域尺寸,就会连续地提高压降。4.正向阻断当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时,P/NJ3结受...
一文读懂晶闸管工作原理
当门极G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴...
三极管的工作条件及工作状态的判断
二、晶体管工作状态的判断晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7V,Vbc<0V(具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定):对于NPN型锗管,Vbe≈0.2V,Vbc<0V;对于PNP型的晶体三极管,上述电压值的符号相反,即小功率PNP型硅...
三极管和MOS管在功能上有什么区别?MOS管有什么优点?
为什么和用MOS管现象不同呢?我们回忆一下三极管工作于放大状态时的条件:发射结正偏,集电结反偏。如果用手同时触摸基极和电源正极,这两个条件都满足,所以三极管导通了,LED灯也亮了;如果此时送开手,集电结反偏仍然满足,但是发射结正偏已经不满足了,因此三极管会截止,对外表现就是这个LED灯会熄灭。
科普:电子技术的主要知识
最高工作频率取决于PN结结电容的大小,结电容越大,二极管允许的最高频率越低。除上述参数外,还有最大瞬时电流、最高使用温度等。5、温度对二极管特性的影响温度变化时,对二极管的正向电流、反向电流、阀电压、反向击穿电压等都有影响。1)温度升高时,正、反向电流增大,阀电压降低、反向击穿电压降低。温度降低时...