【公布】华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布

1.华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布天眼查显示,华虹半导体(无锡)有限公司“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布,申请公布日为2024年10月11日,申请公布号为CN118762996A。本发明提供一种低压超结MOSFET的工艺方法,在第一导电类型的衬底上外延形成第一导电类型的外延层;利用离子注入的方法在外延层表面...

闻泰科技获186家机构调研:未来随着公司半导体业务越来越多的高ASP...

具体来看,(1)消费类领域恢复明显,环比均是两位数的增长、同比是个位数或两位数增长,其中增速最快的领域是计算机设备(PC、服务器、数据中心),同比增长近30%、环比增长近20%,公司产品在AIPC、AI服务器等应用领域的需求带动明显,特别是用于服务器热插拔和软启动的专用MOSFET、保护器件需求旺盛,以服务器中MOSFET产品为...

米家智能小家电拆解汇总:小米的元器件供应商都有哪些?

该控制器通过VSP输入信号精确控制电机转速,其输出驱动序列由霍尔信号解码,适用于静音驱动的应用,且在正常工作状态下供电电流小于12mA,表现出极高的电能利用效率。其次,AOS万国半导体的AO4629电机功率MOSFET是一颗耐压30V的CMOS型器件,采用先进的沟道技术,提供优异的RDS(ON)和低门电荷。其互补的N和P通道配置使其成为低...

奕瑞科技: 上海奕瑞光电子科技股份有限公司2024年度向特定对象...

????公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人保证募集说明书中财务会计资料真实、完整。????中国证券监督管理委员会、上海证券交易所对本次发行所作的任何决定或意见,均不表明其对申请文件及所披露信息的真实性、准确性、完整性作出保证,也不表明其对发行人的盈利能力、投资价值或者对投资者的收益...

详解开关电源 8 大损耗

显然,MOSFET或二极管的导通时间越长,传导损耗也越大。对于降压型转换器,输出电压越低,二极管产生的功耗也越大,因为它处于导通状态的时间越长。3、开关动态损耗由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的,很难估算MOSFET和二极管的开关损耗,器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间,在这个过程中...

安森美1200V碳化硅MOSFETM3S系列设计注意事项,您知道吗?

安森美(onsemi)1200V碳化硅(SiC)MOSFETM3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP(即RDS(ON)*Area),还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化(www.e993.com)2024年11月10日。此前我们描述了M3S的一些关键特性以及与第一代相比的显著性能提升,本文则将重点介绍M3S产品的设计注意事项和使用技巧。

集电极开路什么意思?集电极开路电路工作原理讲解

1、当NPN晶体管工作在“高”状态时,它向地提供灌电流;在“低”状态时,输出端将浮动,直到它通过上拉电阻连接到正电源电压。2、当PNP晶体管工作在“高”状态时,它向地提供源电流;在“低”状态时,输出端将浮动,直到使用下拉电阻连接到地。

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区来回切换。由上面小功率MOSFET工作原理可知,在uDS>uGS-UGS(th)时,对应的每一个uGS就有一个确定的iD。此时,可以将iD视为电压uGS控制的电流源。所以电力MOSFET又称为电压控制电流器件,输入阻抗极高,输入电流非常小。

如何防止掉电状况下的系统出错?

推挽输出拓扑由一对互补MOSFET组成,如图7所示。当底部FET关断且顶部FET导通时,复位输出变为高电平;当底部FET导通且顶部FET关断时,复位输出变为低电平。推挽输出提供从低电平到高电平、从高电平到低电平的几乎轨到轨的高速响应。图7.推挽输出拓扑。低电平有效推挽复位输出适用于大多数应用,但也可采用其他输出类型...

【行业深度】洞察2024:中国MOSFET行业竞争格局及市场份额(附市场...

5、中国MOSFET行业竞争状态总结从MOSFET行业现有竞争者情况来看,当前行业厂商数量规模一般,且市场集中度较高,因此现有竞争者的竞争程度一般,但行业竞争程度有进一步加剧的趋势。上游厂商的议价能力方面,由于上游厂商供应的产品的技术具有较高的技术壁垒,在高制程、高精度的产品生产上,上游厂商的议价能力之强则更加凸显。