2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
新华社赫尔辛基9月4日电(记者陈静)芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元(1欧元约合1.1美元)。巴利加于1948年出生在印度,目前在美国北卡罗来纳州立大学担任教授。公报说,这一奖项颁...
AI时代,我们需要怎样的国产芯片?|甲子引力X
这两年硅基IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)国产化率提高速度蛮快的,包括碳化硅(SiC)以及一些新的化合物半导体器件,很多国内的车厂很愿意去尝试这些新器件,也给了国内做功率器件的厂商很多机会。从系统角度来看,路虽然很漫长,但我们在逐步突破。王兵:因为我们是财务投资人,汽车这个行业我...
瞭望| “聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。此外,决策系统硬件层的智能...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
随着Q2导通,晶体管Q4也将导通。输出端的两个晶体管都将导通,因此终端输出将具有低电平,这被视为逻辑0。2、标准3输入TTL与非门电路下图为标准3输入TTL与非门电路。这与我们在2输入TTL与非门电路中差不多,只是这里输入晶体管Q1具有三个发射极而不是两个。工作原理与2输入TTL与非门相同。、标...
格力电器获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制备方法”
该绝缘栅双极型晶体管结构包括:集电层,具有第一掺杂类型;漂移层,设置于集电层的一侧,且漂移层具有第二掺杂类型;栅极结构,设置于漂移层远离集电层的一侧;第一掺杂层,接触设置于漂移层远离集电层的一侧,第一掺杂层包括第一部分和第二部分,第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域,第一间隔区域位于栅极结构靠近...
整理分类:晶体管的类型分析
光电晶体管在三个端子上工作(www.e993.com)2024年9月11日。易于实现电控或电同步。光电晶体管使用的材料通常是砷化镓。主要分为双极型光电晶体管、场效应光电晶体管及相关器件。双极型光电晶体管通常增益较高,但速度不太快。场效应光电晶体管响应速度快。其缺点是感光面积小,增益小。它通常用作极高速光学探测器。还有许多其他与此相关的平面光电...
基础知识之晶体管
作为开关使用的晶体管下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。
SiC,迎来劲敌|电阻|晶体管|肖特基|氮化镓|二极管_网易订阅
图5:(a)AlN晶体管的漏极电流与漏极电压特性;(b)AlN晶体管的断态击穿特性。NTT在新闻稿中强调,他们还证实了AlN晶体管可以在高温下稳定工作(图6)。与传统半导体材料相比,AlN晶体管在高温下表现出更好的性能。随着环境温度从室温升高到500°C,漏极电流增加到约100倍。此外,即使在500℃下,漏电流也...
半导体芯片,到底是如何工作的?
一开始的三极管是单栅,后来变成了两块板子夹在一起的双栅,再后来,干脆变成了整个包起来的围栅。围栅真空三极管的诞生,是电子工业领域的里程碑事件。这个小小的元件,真正实现了用电控制电(以往都是用机械开关控制电,存在频率低、寿命短、易损坏的问题),用“小电流”控制“大电流”。
【产业研究】沟通电网与电解槽的“桥梁”,制氢电源有望打开增长...
IGBT电源是一种以绝缘栅双极晶体管(IGBT)与二极管为基础,使用脉冲宽度调制技术(PWM)控制IGBT导通进而控制二极管导通,从而实现整流的电器。IGBT是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关,具备耐高压、导通压降低、开关速度快的特点。相比于晶闸管,IGBT增加了关断功能,因此属于全控型整流器。IGBT制氢...