基础知识之晶体管
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器...
讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
当基极-发射极没有正向偏置,也就是是截止的时候,集电极和发射极之间没有电流流动,三极管处于截止状态:工作区工作区定义根据发射结和集电结的偏置状态,可以定义三极管的几个不同的工作区。截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个...
详解IGBT工作原理,几分钟搞定!
但是,晶闸管动作和功能是可抑制的,这意味着在IGBT的整个器件工作范围内只允许晶体管动作。IGBT比晶闸管更可取,因为晶闸管等待过零的快速切换。IGBT工作原理IGBT的工作原理是通过激活或停用其栅极端子来开启或关闭。如果正输入电压通过栅极,发射极保持驱动电路开启。另一方面,如果IGBT的栅极端电压为零或略为...
集成电路技术的根本——晶体管的故事
晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN结电压,即硅管为0.6~0.7V,锗管为0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。晶体管的工作状态晶体管有截止、导通和饱和三种状态。在晶体管不具备工作条件时,它处截止状态,内阻很大,各极电流几乎为0。当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电...
PNP与NPN晶体管的检测方法
(1)(www.e993.com)2024年9月11日。截止区:其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置??(2)??放大区:其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。??(3)饱和区:其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。??三级管做开关使用:截止与饱合状态????...
双极性晶体管基础知识解析
在双极性晶体管的正常工作状态下,基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态,而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。在没有外加电压时,发射结N区的电子(这一区域的多数载流子)浓度大于P区的电子浓度,部分电子将扩散到P区。同理,P区的部分空穴也将扩散到N区。这样,发射结...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)知识解析
它与GTR的输出特性相似。也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT的某些应用范围。
双极性晶体管基础知识详解
双极性晶体管基本原理NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下,基极-发射极结(称这个PN结为“发射结”)处于正向偏置状态,而基极-集电极(称这个PN结为“集电结”)则处于反向偏置状态。在没有外加电压时,发射结N区的电子(这一区域的多数载流子)浓度大于P区的电...
晶体管原理
晶体管工作在饱和状态:发射结正向偏置,集电结正向偏置。其特点为:UCE≤UBE,集电极正向偏置。IC≠βIB,IB失去了对IC的控制。晶体管工作在截止状态:发射结反向偏置,集电结反向偏置。其特点为:发射结反偏;IC=ICBO;IB=-ICBO。晶体管工作在倒置状态:发射结反向偏置,集电结正向偏置。其特点为:集电区扩散到...