中国科大在新型拓扑材料外尔半导体的实验发现中取得原创性进展
如果把费米能级从价带调到能隙,会发生金属-绝缘体转变,并伴随拓扑非平庸态到平庸态的转变,这一外尔半导体独有的特性不存在于外尔半金属。外尔半导体的发现为设计新型拓扑半导体器件提供了新思路。图:a.外尔半导体能带结构示意图,圆圈表示外尔点。b.手性反常导致的负磁阻效应。c.d.强磁场下观测到的以磁场对数为周期...
镓系化合物半导体的市场与应用【小金属产业大会】
半导体材料是一类具有半导体性能,导电能力介于导体与绝缘体之间,可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。其电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感,在半导体材料中掺入少量杂质可以控制这类材料的电导率。化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带...
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破
同时针对外延薄膜光电探测器暗电流大的不足,研究团队在金半界面处引入了钝化层改善器件性能:利用AlN/β-Ga2O3界面工程对金半界面处的载流子传输进行调控,所制备的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属(MISIM)结构的日盲光电探测器实现了响应度和响应速度的同时优化。具有3nmAlN层的光电器件表现出482A/W的响应度...
(石墨烯手套箱)功能半导体,石墨烯纳米带:更多应用场景
通常,三层石墨烯可呈现出两种不同的堆叠几何构型,分别是菱形堆垛和Bernal堆垛。研究人员表示:“这两种堆垛的三层石墨烯具有完全不一样的对称性和电子特性,比如中心对称的菱形堆垛的三层石墨烯具有位移电场可调的能隙,并可展现出一系列Bernal堆垛三层石墨烯不具有的关联物理效应:莫特绝缘态、超导和铁磁等。”(文章...
《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南 》美国UIUC何伦亚克微...
《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》理论结合实际,大部分的描述均围绕着实际设备和工艺展开,并配有大量的设备图、制造工艺示意图和半导体芯片结构图。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》主要包括如下主题:基本概念,例如等离子设备中的阻抗失配和理论,以及能带和Clausius-Clapeyron方程;半导体器件和制造设备...
全球芯片正在破局……
据介绍,该光刻胶可通过添加感应受体实现不同的传感功能(www.e993.com)2024年9月8日。为了实现高灵敏光电探测功能,团队在光刻胶材料中负载了具有光伏效应的核壳结构纳米粒子。光照下,纳米光伏粒子产生光生载流子,电子被内核捕获,产生原位光栅调控,大幅提升了器件的响应度。光刻制造的有机晶体管互连阵列包含4500×6000个像素,集成密度达到3.1...
全球芯片关键技术研究最新进展
该存储设备由金属—绝缘体—金属结构组成,包括镍和铂电极以及一层45纳米厚的AlScN。这种结构设计使该存储器能与高温碳化硅逻辑器件兼容,与专为极端温度设计的高性能计算系统协同工作。研究人员表示,这款存储器是一种非易失性设备,能在无电源状态下长期保留存储其上的信息。相较之下,传统硅基闪存在温度超过200℃时...
薛其坤:披荆斩棘叱咤量子竞技场
2005年,拓扑绝缘体概念被提出,科学家认为,在拓扑绝缘体薄膜中引入铁磁性,理论上有可能实现量子反常霍尔效应。但要在实验中实现这一效应却极为困难。因为反常霍尔效应的量子化,需要材料的性质同时满足三项非常苛刻的条件:一是材料的能带结构必须具有拓扑特性,从而具有导电的一维边缘态,即一维导电通道;二是材料内...
国家最高科学技术奖获得者薛其坤:探索量子前沿 打破算力瓶颈
但要在实验中实现却极为困难,因为反常霍尔效应的量子化,需要材料的性质同时满足三项非常苛刻的条件:一是材料的能带结构必须具有拓扑特性,从而具有导电的一维边缘态,即一维导电通道;二是材料内必须具有长程铁磁序,从而无需借助外磁场而存在反常霍尔效应;三是材料体内必须为绝缘态,对导电没有任何贡献,只有一维边缘态...
国家最高科学技术奖获得者薛其坤:披荆斩棘叱咤量子竞技场
但要在实验中实现却极为困难,因为反常霍尔效应的量子化,需要材料的性质同时满足三项非常苛刻的条件:一是材料的能带结构必须具有拓扑特性,从而具有导电的一维边缘态,即一维导电通道;二是材料内必须具有长程铁磁序,从而无需借助外磁场而存在反常霍尔效应;三是材料体内必须为绝缘态,对导电没有任何贡献,只有一维边缘态...