“告别迷茫:晶振负载电容CL的计算详解及实例分析”
计算公式为:匹配电容=1/(2πf×Δf),其中f为晶振的频率,Δf为频率变化范围??。??旁路电容的计算??:在振荡器电路中,通过在晶振两端并联一个电容,可以滤除信号中的杂波和干扰,提高振荡器的稳定性和精度。旁路电容的计算公式为:C=(2πfL)/(Qf),其中C表示旁路电容的值,f为晶振的频率,L为...
正负电极的质量匹配以实现超级电容器能量密度的最大化
河南师范大学绿色化学团队王键吉教授、卓克垒教授等人针对超级电容器中存在的质量匹配问题,做了以下研究工作:(1)给出了质量匹配的明确定义;(2)阐明了质量匹配的基本原理;(3)推导了质量匹配的相关公式;(4)分析了不同情况下质量匹配对电化学性能的影响;(5)明晰了对质量平衡的误解和误用根源;(6)提出了规范实施质量匹...
HDLF-0.1Hz超低频耐压试验装置的使用操作
例2:某型号10kV(UN=10kV,Uo=8.7kV)电缆长4km,单相对地电容0.21uF/km,0.1Hz超低频试验电压为26kV(峰值),则泄漏电流近似为:Io=2πfCU=2×3.14×0.1CU=0.628×0.21×4×26/=9.69(mA)过流保护整定电流值:I=kIo………(公式2)其中:k为过流保护可靠系数,显然k>1若k取1.5,则...
小小的电容,也能写出一篇干货?
应用中较为常见的是X7R(X5R)类多层陶瓷电容,它的容量主要集中在1000pF以上,该类电容器主要性能指标是等效串联电阻(ESR),在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。另一类多层陶瓷电容是C0G类,它的容量多在1000pF以下,该类电容器主要性能指标是损耗角正切值tgδ(DF)。传统的贵...
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性
CGD:栅极到漏极电容。CGB:栅极到本体电容。CSB:源极到体电容。CDB:漏极到体电容。在设计包含MOSFET的模拟IC时,这些电容在电路带宽中起着重要作用。图1显示了它们的位置。带有寄生电容的NMOS晶体管结构。图1.具有寄生电容的MOSFET结构。电容值会随着工作区域的变化而变化,我们将在接下来的部分中讨论。
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项
如图3-1所示,栅极信号上升沿的高频分量(更重要的是,穿过米勒区域的上升VDS信号)会导致电流流到另一个FET的本征电容器上(www.e993.com)2024年10月2日。该信号通过固有的栅极至漏极或栅极至源极电容器耦合,因为电容器在较高频率下具有较低的阻抗。如果这些耦合信号足够高,它们可能会超过电机驱动器的绝对最大额定值,或者打开一相内的低...
高中物理常易混淆的知识点汇总!快来看看~
1、考生不易理解的三个概念——电场强度、电势、电容(1)电场强度的定义式E=F/q,但E的大小、方向是由电场本身决定的,是客观存在的,与放不放检验电荷以及放入的检验电荷的正负、电荷量的多少均无关.既不能认为E与F成正比,也不能认为E与q成反比.同理,电势也是由电场本身决定的,是客观存在的,与放不放检验...
电化学应用方向:石英晶体微天平理论与校准-QCM
图3.C0变零的振荡器电路。图3显示了一种取消Co的方法。在这个电路中,AGC放大器驱动具有两个次级绕组的变压器。一个次级驱动晶体和负载像以前一样,而另一个则是次级反转电压。反转电压源通过可调电容器Cv注入电流,以抵消通过Co注入的电流。当可调电容等于Co时,可以实现精确的抵消。在SRS的QCM25晶体控...
谁能替代铜互连?
当今先进互连中使用的电介质具有低介电常数(低介电常数K)以减少互连电容。低介电常数K这些电介质的连接由于低偶极子密度,或者本质上是由于成分或通过降低物理密度,例如,通过引入孔隙率。这会对TDDB行为产生相当大的影响,因为众所周知,铜在此类电介质中会快速分离和漂移,从而导致快速击穿。因此,铜需要在电...
谁能替代铜互连?_腾讯新闻
然而,Eq(7)的推导并不要求对表面散射、晶界散射或声子散射都成立Matthiessen规则。事实上,由于晶界散射对平均自由程的“重整化”,在Ref中已经指出,对于金属薄膜中的表面散射和晶界散射,Matthiessen规则通常不成立。这使得单独量化体积、表面散射和晶界散射对薄膜电阻率的贡献变得困难,并且应该谨慎使用公式(7)的某些近似版...