吃透MOS管,看这篇就够了
5、MOS管和晶体三极管相比的重要特性;1).场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。图1-6-A图1-6-B2).场效应管是电压控制电流器件,由VGS控...
MOS管及其外围电路设计
图4给出的改进电路1是在驱动电阻上反并联了一个二极管,当mos关断时,关断电流就会流经二极管Doff,这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降,一般为0.7V,远小于mos的门槛电压(一般为2.5V以上),有效地避免了mos的误开通。图5改进电路2图5给出的改进电路2是在驱动电路上加入了一个开通二极管Don和关断三级管Qoff。
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
而对于蜂鸣器来说,由于和按键有同样的效果,不加上拉电阻,无法区别在没有单片机控制时,三极管的工作状态,所以,必须加上上拉电阻以保障无单片机控制时,三极管截止,蜂鸣器不工作。有时候由于器件自身设计的原因,如果不接外部上下拉电阻,设备无法正常实现高低电平的转换。例如,对于开漏输出的I2C总线来说,如果不接上拉电阻...
如何让MOS管快速开启和关闭
因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通,所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管。TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管,其瞬间可以承受...
电源设计必学电路之驱动篇|新冠肺炎_新浪科技_新浪网
MOSFET常用于中小功率数字电源,其驱动电压范围一般在-10~20V之间。MOSFET对驱动电路的功率要求不高,在低频场合可利用三极管直接驱动,而在高频场合多采用变压器或专用芯片进行驱动。1)三极管驱动电路三级管驱动电路是最基本的MOS管驱动电路,下面以N—MOS三极管驱动电路为例。如图,当控制核心输出高电平时,三极管Q1导通,...
一文教你检测MOS管好坏的五大诀窍
二、用测电阻法判别MOS管的好坏测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏(www.e993.com)2024年10月20日。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中...
二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解
MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻...
icspec干货 | 7种MOS管栅极驱动电路
关断电流比较大时,能使MOSFET输入电容放电速度更快,从而降低关断损耗。大的放电电流可以通过选择低输出阻抗的MOSFET或N沟道的负的截止的电压器件来实现,最常用的就是加加速二极管。栅极关断时,电流在电阻上产生的压降大于二极管导通压降时,这时二极管会导通,从而将电阻进行旁路,导通后,随着电流的减小,二极管在电路中的...
MOS管系列在服务器电源上的应用
n内置FRD优异的反向恢复特性,适合多管应用,提升系统可靠性。DC/DC同步整流SR线路中经过变压器降压后的电源会通过2颗MOS管进行同步整流。以瑞森半导体型号RS60N130G为例,MOS耐压值为60V,导通电阻2.1mΩ,能够在导通状态下承受高达130A的最大导通电流,为降压后的电源提供了充足的裕量。而ORing位置一般选用30V/40V...
广州飞虹半导体,专业的MOS管生产厂家
公司主营销售产品:高中低压(30-900V)MOSFET、三端稳压管、IGBT、肖特基、三极管等。产品质量高:采用先进的工艺与设备,及高规格材料。满足工业级可靠性标准,可根据客户独立测试筛选。以应用为导向设定高标准:晶圆及成品均以严格标准测试筛选,保证产品质量,以满足市场和各行业应用要求。