混合键合技术的利与弊

铜CMP应留下平坦的晶圆表面(总厚度变化或TTV),并且根据间距,1nm铜凹槽变化;EVGroup推出的新型无机粘合剂粘合和激光解键合工艺可使用硅载体晶圆,该晶圆可提供100nm的TTV、更好的几何稳定性和更高的热导率。硅载体上的后一种工艺还允许硅载体重复使用,从而减少工艺步骤并降低拥有成本。EVG的Urhmann表示:“我们...

最新FiFET技术,英特尔晶圆代工的关键

阈值电压由晶体管的栅极堆栈(控制电流通过晶体管的金属和绝缘层)设定。英特尔代工技术开发副总裁WalidHafez解释说,从历史上看,“金属的厚度决定了阈值电压。功函数金属越厚,阈值电压越低。”但随着设备和电路的缩小,这种对晶体管几何形状的依赖也带来了一些缺点。制造过程中的微小偏差可能会改变栅极金属的体积,从而导...

如何建一个200亿美元的晶圆厂?

在20世纪80年代,晶圆厂洁净室是按照1000级标准建造的,但到了1990年代,一些制造商正在建造极其洁净的1级洁净室(每立方英尺空气中只有一个0.5微米的颗粒)。由于达到这种清洁度水平的成本很高,因此制造商采取了将晶圆与洁净室其他部分隔离的策略。晶圆在称为FOUP(frontopeningunifiedpods:前部开放...

一款颠覆性的RISC-V芯片

测试芯片是在Pragmatic的FlexLogic晶圆厂中制造的,采用薄膜沉积工艺,在厚度为30??m的200毫米聚酰亚胺晶圆上制造的,该工艺可创建金属氧化物TFT和电阻器的图案层,具有四个可布线的金属层和一个额外的RDL(重新分布层),用于将芯片的核心焊盘重新布线到将成为与外部世界接口的外围焊盘。测试基础设施和...

集成光子封装的双光子3d打印技术,打印微透镜耦合和光子引线键合

这对于混合集成尤为重要，因为在混合集成中，模块在具有不同厚度的不同基板上图案化。这一特点放宽了晶圆研磨和深沟槽蚀刻过程中的精度和均匀性要求36-38。常用的TPL树脂具有宽带低光衰减的特点，适用于在异种材料平台之间建立低损耗的光链路。4）除了创建光链路外，TPL还可用于形成微纳米机械结构，以指导无源...

【复材资讯】更新至299种重点新材料,碳纤维、石墨烯、碳纳米管...

(1)聚晶金刚石复合片PCD:硬度≥HV4000,拱形度≤0.1mm,厚度公差≤±0.1mm;(2)聚晶PCBN刀片:硬度≥3200HV,抗冲击韧性≥25J,抗弯强度≥500MPa(www.e993.com)2024年11月18日。超精密加工用超硬材料制品(1)减薄砂轮:硬度偏差≤8%;动平衡精度≤0.2g;晶圆加工精度:TTV≤3μm;...

高精度超薄结构化玻璃晶圆升级量产,公差低于20微米

原标题:高精度超薄结构化玻璃晶圆升级量产,公差低于20微米特种玻璃发明者和光学技术先驱者——肖特针对各种工业应用不断扩充其结构化玻璃晶圆组合FLEXINITY??。目前低于20微米(±10微米)的超紧公差使得高精度高准确性的组件之间的对准成为可能。最大厚度范围涵盖超薄厚度100??m至薄厚度3.3mm,最大宽幅高达600mm。

市场监管总局(标准委)批准发布708项推荐性国家标准和3项国家标准...

243GB/T4096.2-2022产品几何技术规范(GPS)楔体第2部分:尺寸与公差标注2022/10/14244GB/T42125.10-2022测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第10部分:绝缘电阻测量和介电强度试验设备的特殊要求2023/5/1245GB/T42125.19-2022测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第19部分:电动控制阀...

EVG集团300毫米聚合体自动晶圆键合系统销量大增

无论是在CMOS图像传感器还是堆叠式逻辑存储器的应用方面,全自动晶圆键合技术责任重大,它是制造商转而制造较大的晶圆基层(300毫米)以降低整体生产成本的必然选择。例如,键合后能否将粘胶层的总厚度变化(TTV)降到最小是影响最终产品厚度公差的关键。这也将最终影响薄化晶圆和设备在提高接合密度和降低硅通孔(TSV)整合成...

3D工业视觉行业研究:机器人的眼睛

目前CCS标准光源尺寸厚度最小为3mm,奥普特各型号光源厚度在10mm~20mm之间。在3D相机中,光源是红外激光发射器,其发射图像的质量对整个识别效果至关重要,VCSEL是近红外光源最佳方案。红外线的主要波长是700nm~2500nm。目前的摄像头图像传感器对900nm以上的红外光感应差,需要更强的光才能感测到,...