发光二极管的工作原理是什么?为什么可以发出不同颜色的光?
也称为光耦合器或光隔离器,是由发光二极管与光电二极管、光电晶体管或光电三端双向可控硅开关组成的单个电子设备,可在输入之间提供光信号路径连接和输出连接,同时保持两个电路之间的电气隔离。光隔离器由一个不透光的塑料体组成,在输入(光电二极管)和输出(光电晶体管)电路之间具有高达5000伏的典型击穿电压。当需要...
功率二极管是什么器件?详细分析功率二极管的工作原理
1、普通二极管是P型和N型,2层;功率二极管是有3层,p+层和n+层之间之间存在漂移区。2、功率二极管的电压、电流和功率额定值较高,而普通二极管的电压、电流和功率额定值都比较低。3、功率二极管高速工作,普通二极管以更高的开关速度工作。4、功率二极管适用于逆变器等使用大电流和电压的地方,而普通二极管适用...
长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有...
专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料;在衬底上形成位线并与有源区相交错;刻蚀未被位线遮盖的导电材料,形成位线接触垫;以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子,形成离子再注入区域,并...
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其一,局部掺杂技术的可行性:实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间...
科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...
由于延伸区域的掺杂是局部性的,因此通道可以保持未掺杂的状态,这也是N型和P型器件均能兼容互补金属氧化物半导体(CMOS,ComplementaryMetalOxideSemiconductor)阈值电压的关键所在。此外,量化场效应晶体管通道中的载流子密度和迁移率,对于理解和优化器件的性能指标也是至关重要。
BCD技术科普:模拟、数字和电源设计的统一方法
我们设备中的其他三个终端是:DPW(深P阱)-深P阱屏蔽了包含PMOS晶体管的N阱,防止其从外延层而不是N阱作为电荷收集电极收集信号电荷(www.e993.com)2024年9月11日。ISONBL(隔离N型埋层)——用于实现不同电压下工作的电路之间的隔离或防止噪声通过公共P衬底耦合。它用作P衬底内的N型掺杂剂埋层。该层有效地将衬底的不同区域彼...
如何建一个200亿美元的晶圆厂?
3.掺杂掺杂是将极少量的杂质引入半导体材料以改变其电导率的过程。通过在硅中掺杂少量的V族元素(例如磷或砷),可以产生具有过量自由电子的n型半导体。通过掺杂少量的III族元素(例如硼),可以产生具有过量电子空穴的p型半导体。通过适当排列p型和n型硅,可以制造晶体管等组件。
NPN型晶体管-IC电子元器件
NPN型晶体管是一种三极管,由三个不同掺杂的半导体材料组成。它是最常见的晶体管类型之一,用于放大和开关电路中。NPN型晶体管具有很高的电流放大倍数和较低的输入电流要求,因此在电子电路中得到广泛应用。NPN型晶体管基本结构NPN型晶体管的基本结构由三个掺杂不同材料的半导体层构成,分别是P型半导体、N型半导体和P...
第三代半导体技术,迎来劲敌
它是由晶体内部电场产生的,而晶体内部电场具有几个属性:其一,这些III-V族半导体的晶体具有不同寻常的极性:在晶体的晶胞(unitcells)内,电子云和带正电的原子核彼此偏移,足以为每个晶胞提供不同的负电区域和正电区域(偶极子:dipole)。此外,只需使晶格变形,就可以在这些半导体的晶格中产生电荷,这种现象称为压电...
谁能替代铜互连?_腾讯新闻
作为示例,在逻辑处理器中用作高速缓存存储器的SRAM单元的区域在一个方向上由晶体管的栅极间距(也称为“接触多晶硅间距”)(晶体管尺寸)和垂直方向上的金属线的间距(互连间距)确定(图1b)。因此,为了减小SRAM单元面积,晶体管和互连尺寸两者都应当被缩放。