涨知识!业内专家带你揭秘芯片、半导体行业的前生今生~

早期的半导体芯片工艺结构相对简单,尺寸也只有微米或亚微米级别,所以一台钨灯丝扫描电镜搭配少量辅助设备就可以完成大多数的内部分析业务需求。但随着器件尺寸进入到纳米时代,原子层级别的缺陷都可能造成器件失效,ppb(十亿分之一)级别的杂质含量都可能造成器件电学性能的严重漂移,分析实验室需要更多种类、更加精密的分析...

先进制程失效分析大解密|晶体管|台积电|finfet|nm_网易订阅

在芯片去层的方法中,除了手动研磨以外,P-FIBdelayer(去层)是另外一种选择,P-FIB是利用氙离子进行大范围的平面蚀刻,最大可达200umx200um,它除了可符合平坦度的要求以外,最重要的一点是它可降低积碳的现象。所谓积碳是指样品在处理过程中,会经过化学药剂和研磨液的处理、沾染一些微不可见的脏污,这些非样品...