美国警报拉响!65nm国产光刻机成功量产,推动8nm芯片多重曝光!
而这次中国的65nm光刻机量产,标志着芯片制造上迈出了关键的一步。更令人兴奋的是,多重曝光技术的应用,让8nm芯片的生产也变得可行。这一进展不仅满足了国内市场的需求,还在国际竞争中为中国争取了一席之地。特别是在如今国际形势下,芯片的自主生产能力已经成为国家安全和发展的重要保障。光刻机的国产化,绝对是技...
鼎龙股份:SAQP(多重曝光)技术主要涉及晶圆制造中的光刻工艺,对CMP...
SAQP(多重曝光)技术主要涉及晶圆制造中的光刻工艺,对CMP工艺次数无显著影响。点击进入交易所官方互动平台查看更多
国产光刻机新进展:能多层曝光造8nm芯片
多重曝光技术与光刻机精度局限如果使用多重曝光技术达到极致状态,理论上有可能制造出8纳米(nm)级别的芯片。但是,这并不代表实际上就能实现这样的生产,因为还有成本和良品率的问题需要考虑。在实际操作中,多重曝光可能会增加生产成本,并且可能降低产品的质量或数量,也就是良品率。国产光刻机主要采用的是深紫...
全新国产DUV光刻机曝光:“套刻≤8nm”是个什么水平?
“如果采用多重曝光,比如双重曝光,那么所需要的overlay就要砍半,所以现有的单次曝光55nm水平,如果要做双重曝光,那么至少需要55÷5÷2=5.5nm的overlay,四重曝光overlay还要再砍一半,那就是需要2.75nm的overlay。因此,8nm的overlay是没有办法来做多重曝光的。”该光刻技术专家对芯智讯进一步解释道。所以,总结来说,...
专家解读65纳米光刻机的分辨率 技术瓶颈与多重曝光潜力
这意味着,即便是8纳米套刻精度,在双重曝光至40纳米分辨率的需求面前也显得不够。况且,40纳米仅是浸没式光刻机单次曝光的水平。根据可得的历史资料分析,65纳米分辨率、8纳米套刻精度的光刻机主要适用于65至55纳米的芯片制造过程,无法有效通过双重曝光技术跨入32纳米、28纳米等更精细的制造领域。(责任编辑...
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不过需要注意的是,套刻精度为“多重曝光能达到的最高精度”,按套刻精度与量产工艺约1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,大致相当于20年前ASML的1460K(www.e993.com)2024年10月23日。28nm虽然不是特别先进技术,但意义依然重大,因为这是芯片中低端和中高端的分界线,目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外,其余的工业级芯片大多都是...
Jim博士:给某文科中专生讲5纳米芯片工艺的EUV版本和DUV版本
下图比较了5纳米芯片的DUV版本和EUV版本的区别:DUV版本使用了5个浸没式光刻掩模版,采用多重曝光方案(SAQP或LE3)完成M1或M2金属层光刻(M1或M2金属间距大约30纳米)。而EUV光刻只需要1个EUV掩模版完成曝光光刻。从电镜照片,我们可以清楚地看到,用1个EUV光刻掩模取代5个浸没式DUV光刻掩模,具有更好的图案保真度、...
国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么
其实,ASML最先进的EUV光刻机早已被完全禁止出口中国;去年10月,美国又更新了先进芯片制造技术出口管制,将限制出口中国的光刻机范围扩大,即扩大至采用多重曝光能够实现先进制程能力的光刻机。9月6日,荷兰政府宣布,扩大光刻机出口管制范围至浸没式深紫外光刻设备,与美国的管制“对齐”,ASML如果要向中国出口TWINSCANNX...
天大的好消息,全新国产光刻机曝光,套刻≤8纳米,什么水平?
其中浸润式DUV的典型代表就是阿斯麦“NXT:1980Di”,分辨率38纳米,通过多重曝光,可以生产7纳米制程芯片。全球最先进的光刻机是阿斯麦的“EXE:5000”,采用13.5纳米极紫外光源,分辨率是8纳米,是面向3纳米制程研发的,当然这款现在还很少,就英特尔买了台,还处于是样机状态。估计看到这里,很多人就会很失望。但...
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不过需要注意的是,套刻精度为“多重曝光能达到的最高精度”,按套刻精度与量产工艺约1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,大致相当于20年前ASML的1460K。28nm虽然不是特别先进技术,但意义依然重大,因为这是芯片中低端和中高端的分界线,目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外,其余的工业级芯片大多都是...